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J-GLOBAL ID：202202232518329710   整理番号：22A0771559

歪InGaAs量子井戸の成長パラメータが発光特性に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】

The Influence of Growth Parameters of Strain InGaAs Quantum Wells on Luminescent Properties

著者 (2件)： Gu Lei (College of Electrical Engineering, Jilin Engineering Normal University, Changchun, Jilin, China) ,  Meng Juan (Xidian University, Xi’an, China)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 51  号： 3  ページ： 1421-1427  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs/GaAs単一量子井戸(QW)を,有機金属化学蒸着(MOCVD)により配向GaAs基板上に成長させた。室温での光ルミネセンス(PL)測定を適用してQWの光学的性質を特性化した。光学的性質に及ぼすオフカット基板,成長温度,成長速度およびV/III比の影響を調べた。1060nmInGaAs/GaAs量子井戸に対して,成長温度が600°Cのとき,V/III比は43であり,成長速度は1.15μm/hであり,量子井戸の品質は良好であることを示した。成長温度の減少とともに,PL強度は有意に増加した。温度が600°Cのとき,PL強度は,他の2つのサンプルよりそれぞれ121%と52%高かった。FWHMは,他の2つの試料と比較して,それぞれ35%と46%減少した。成長速度が増加したとき,PL強度は75%増加し,一方,FWHMは5%減少した。成長速度の増加と共にFWHMが大きく減少し,青方偏移が起こり,結晶品質が大きく改善されることが分かった。V/III比の増加はInGaAs/GaAs QWsの成長品質と光学特性を改善できる。試料の波長は,V/III比の増加とともに赤方偏移を示した。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  赤方偏移 ,  光ルミネセンス ,  *ヒ化ガリウム ,  波長 ,  青方偏移 ,  MOCVD ,  *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  成長速度 ,  FWHM
準シソーラス用語： *発光特性 ,  結晶品質 ,  *生長パラメータ ,  単一量子井戸 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaAs ,  量子井戸 ,  歪 ,  MOCVD

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪 ,  InGaAs ,  量子井戸 ,  成長パラメータ ,  発光特性