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J-GLOBAL ID：202202232976709498   整理番号：22A0467943

磁性体を含むヘテロ構造の最近の進展 (111)配向磁気トンネル接合:界面共鳴誘起巨大磁気抵抗と垂直磁気異方性の理論予測

Prediction of Giant Magnetoresistance and Perpendicular Magnetic Anisotropy in (111)-Oriented Magnetic Tunnel Junctions

著者 (3件)： 増田啓介 (物質・材料研究機構) ,  伊藤博介 (関西大 システム理工) ,  三浦良雄 (物質・材料研究機構)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 17  号： 1  ページ： 27-34  発行年： 2022年02月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高トンネル磁気抵抗(TMR)比と大きな垂直磁気異方性(PMA)の両方は,不揮発性磁気ランダムアクセスメモリに応用するための磁気トンネル接合(MTJ)に必要である。本論文では,非従来型(111)配向MTJに関する著者らの最近の研究を紹介し,そこではMTJが上記二つの要件を満足する可能性を調べた。密度汎関数理論に基づく計算により,Co系L1₁規則化合金とMgO障壁を用いたMTJが2000%以上の非常に高いTMR比を有することを示した。また,このような高いTMR比は,Cod状態とOp状態との間の界面反結合の共鳴トンネルから生じることも分かった。高いTMR比のこの機構は従来型(001)配向MTJでの場合とかなり対照的であり,そこでは強磁性電極とトンネル障壁のバルクバンド構造が高TMR比の起源である。また,L1₁規則化合金の磁気異方性を計算し,多くの合金が(111)配向MTJにおいて大きなPMAを与えることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *磁気抵抗 ,  *垂直磁気異方性 ,  *トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  共鳴トンネル効果 ,  バンド構造 ,  電極 ,  磁気異方性 ,  解析 ,  電子構造 ,  輸送現象 ,  規則合金 ,  ポテンシャル障壁 ,  酸化マグネシウム ,  界面
準シソーラス用語： MgO ,  トンネル磁気抵抗 ,  トンネル障壁 ,  *巨大磁気抵抗 ,  強磁性電極 ,  結晶磁気異方性 ,  *磁気トンネル接合 ,  摂動解析 ,  電子輸送 ,  ヘテロ接合界面

分類 (2件)： 金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (54件)：

• M. Takagishi, K. Yamada, H. Iwasaki, H. N. Fuke, and S. Hashimoto: IEEE Trans. Magn., 46, 2086 (2010).
• S. Isogami, M. Tsunoda, K. Komagaki, K. Sunaga, Y. Uehara, M. Sato, T. Miyajima, and M. Takahashi: Appl. Phys. Lett., 93, 192109 (2008).
• H. Maehara, K. Nishimura, Y. Nagamine, K. Tsunekawa, T. Seki, H. Kubota, A. Fukushima, K. Yakushiji, K. Ando, and S. Yuasa: Appl. Phys. Express, 4, 033002 (2011).
• T. Kitada, K. Nakamura, Y. Tanaka, S. Furukawa, and T. Hatano: 59th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM 2014), DE-02, Honolulu, November 5, 2014.
• X. Jiang, A. F. Panchula, and S. S. P. Parkin: Appl. Phys. Lett., 83, 5244 (2003).

タイトルに関連する用語 (12件)： 磁性体 ,  ヘテロ構造 ,  進展 ,  配向 ,  磁気トンネル接合 ,  界面 ,  共鳴 ,  誘起 ,  巨大磁気抵抗 ,  垂直磁気異方性 ,  理論 ,  予測