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J-GLOBAL ID:202202234034631191   整理番号:22A0223388

Electronビームシステムを用いた加速エージングにより評価したベータ電圧に対する4H-SiCと比較したSiの放射線硬度【JST・京大機械翻訳】

Radiation Hardness of Si Compared to 4H-SiC for Betavoltaics Assessed by Accelerated Aging Using an Electron Beam System
著者 (8件):
資料名:
巻: 51  号:ページ: 350-355  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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三次元電子技術の進歩により,半導体コンバータとベータエミッタの混合物から成る3Dベータボルタクスを,半導体におけるベータ吸収を最大化することにより出力電力を増加させるために研究した。半導体放射ロバスト性は,長い滞留時間にわたるベータ照射過程中の電気特性を監視することにより典型的に評価されている。高活性ベータエミッタを組込むことなく,ベータボルタシスの半導体候補を迅速かつ安全に評価するため,ベータソース代用物としてカスタム設計電子ビームシステムを使用した。本研究では,高フラックスおよび高フルエンス電子を照射した平面4H-SiC,平面Siおよび3D Siリッジp-i-nダイオードの電気的性能の変化を報告した。4H-SiCダイオードは,1.3×1018cm-2のフルエンスで100keVの電子照射で出力電力に45%の劣化を受けることが分かった。しかし,Siダイオードは7×1018cm-2の100keV電子照射の最高フルエンスで性能の低下を示さなかった。これは,Siが147Pmベースベータボルタクスに対して4H-SiCより放射線硬く,平均ベータエネルギーが62keVであることを示した。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
ダイオード  ,  半導体-金属接触 

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