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J-GLOBAL ID：202202234470568819   整理番号：22A0741618

ゲートフローティング下のEモードGaNベーストランジスタのI-V特性【JST・京大機械翻訳】

I-V Characteristics of E-mode GaN-based transistors under gate floating

著者 (5件)： Qin Zhen-Wei (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan) ,  Tsai Wen-Hsuan (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan) ,  Chen Wei-Chia (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan) ,  Lo Hao-Hsuan (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan) ,  Hsin Yue-Ming (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 4  ページ： 045002 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ゲートフローティングとゼロゲートバイアスの下で,種々のEモードGaNベーストランジスタのI-V挙動を研究した。p-GaNゲート高電子移動度トランジスタ(HEMT),ゲート注入トランジスタ,およびカスコードGaNFETを採用し,比較した。測定したI-V特性に基づくCascode GaN FETを除いて,ゲート浮遊下で高いオフ状態ドレイン電流を観測した。p-GaNゲートHEMTのオフ状態ドレイン電流は,6Vのドレインバイアスでのゲート浮遊下で最大0.8mAであり,ゼロゲートバイアスより約107倍大きい。素子は,ドレインとゲート電極間の容量充電効果のために,ゲート浮遊下のスイッチング中に,誤ターンオンと逆伝導損失を誘起する。静電容量充電効果の機構をp-GaNゲートHEMTの等価回路を用いて論じ,Silvaco TCADシミュレーションにより確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電流 ,  等価回路 ,  *トランジスタ ,  電極 ,  *電流電圧特性 ,  充電 ,  静電容量 ,  *窒化ガリウム ,  *ゲート【半導体】 ,  HEMT
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  TCAD ,  カスコード ,  ゲート電極 ,  オフ状態 ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  GaN ,  トランジスタ ,  I-V特性