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J-GLOBAL ID：202202237506981201   整理番号：22A1156219

四元InAlGaN DG MOS-HEMTのアナログ/RF性能に及ぼすモル分率変動の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Mole Fraction Variation on the Analog/RF Performance of Quaternary InAlGaN DG MOS-HEMTs

著者 (5件)： Ghosh Sushmita (Department of Electronics and Communications Engineering, Heritage Institute of Technology, Kolkata, India) ,  Bagla Gautam (Department of Electronics and Communications Engineering, Heritage Institute of Technology, Kolkata, India) ,  Mukherjee Hrit (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata, India) ,  Kar Mousiki (Department of Electronics and Communications Engineering, Heritage Institute of Technology, Kolkata, India) ,  Kundu Atanu (Department of Electronics and Communications Engineering, Heritage Institute of Technology, Kolkata, India)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 51  号： 5  ページ： 2608-2616  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,インジウム,アルミニウム,およびガリウムのモル分率を変えた対称アンダーラップ四元InAlGaN二重ゲート金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタ(MOS-HEMT)のアナログおよび高周波(RF)性能を提示した。アルミニウム(x)のモル分率は0.06に固定され,インジウム(y)のそれは4つの異なる値で0.01から0.10まで変化した。調べたアナログパラメータは,ドレイン電流密度(I_d),相互コンダクタンス(g_m),固有利得(g_mr_0),および相互コンダクタンス発生因子(g_m/I_d)である。このデバイスは0.01[数式:原文を参照]y[数式:原文を参照]0.04に対して一定の傾向を示し,0.04[数式:原文を参照]y[数式:原文を参照]0.10に対して逆であった。伝導バンドエネルギー(CBE)プロファイルの相対的評価を用いて,これの背後にある理由を解読した。RF性能を,ゲート対ソースキャパシタンス(C_gs),ゲート対ドレイン容量(C_gd),全ゲートキャパシタンス(C_gg),カットオフ周波数(f_T),および最大振動周波数(f_max)を含む性能指数(FOM)を用いて評価した。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 対称性 ,  電流 ,  アルミニウム ,  インジウム ,  ガリウム ,  HF【周波数】 ,  アナログ系 ,  伝導バンド ,  振動数 ,  利得 ,  相互コンダクタンス ,  ゲート【半導体】 ,  *HEMT ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： アナログ ,  2DEG ,  HEMT ,  InAlGaN ,  モル分率 ,  四成分 ,  対称アンダーラップ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： dG ,  MOS ,  HEMT ,  アナログ ,  RF ,  モル分率