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J-GLOBAL ID：202202239276908029   整理番号：22A1043671

Siナノワイヤからの光支援電界放出における負性微分抵抗【JST・京大機械翻訳】

Negative differential resistance in photoassisted field emission from Si nanowires

著者 (9件)： Choueib M. (Departement de chimie, Universite de Montreal, Montreal, Quebec H3T 1J4, Canada) ,  Derouet A. (Institut Lumiere Matiere, Universite Lyon 1, CNRS, UMR 5306, F-69622 Villeurbanne Cedex, France) ,  Vincent P. (Institut Lumiere Matiere, Universite Lyon 1, CNRS, UMR 5306, F-69622 Villeurbanne Cedex, France) ,  Ayari A. (Institut Lumiere Matiere, Universite Lyon 1, CNRS, UMR 5306, F-69622 Villeurbanne Cedex, France) ,  Perisanu S. (Institut Lumiere Matiere, Universite Lyon 1, CNRS, UMR 5306, F-69622 Villeurbanne Cedex, France) ,  Poncharal P. (Institut Lumiere Matiere, Universite Lyon 1, CNRS, UMR 5306, F-69622 Villeurbanne Cedex, France) ,  Cojocaru C. S. (Ecole Polytechnique LPICM, UMR 7647, F-91128 Palaiseau, France) ,  Martel R. (Departement de chimie, Universite de Montreal, Montreal, Quebec H3T 1J4, Canada) ,  Purcell S. T. (Institut Lumiere Matiere, Universite Lyon 1, CNRS, UMR 5306, F-69622 Villeurbanne Cedex, France)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 40  号： 2  ページ： 022802-022802-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤ(NWs)からの電界放出(FE)を,安定性,輝度,およびパルス発光の観点から電子銃性能と機能性を拡大するために研究した。ここでは,高結晶性p型シリコンNW上の光支援電界放出実験中に測定したFE IV特性における,顕著でロバストな二重負性微分抵抗(NDR)について報告する。主な特徴は,電流飽和領域における二重NDRであり,これは温度と光強度の両方によって変調できる。これらの結果は,わずかな注目すべき単一NDRしか報告されていない以前のFE研究と対照的であった。NDRの物理的説明に対するいくつかのメカニズムが現在考慮されている:空乏領域における光生成キャリア不安定性は,NW頂点での閉じ込めにより形成される二重量子井戸を通して,ナノワイヤまたはトンネリングにおけるパルス空間電荷電流を生じさせる。NDRsはパルス電流の特徴であるので,これらの結果は,パルス電子源が,高い反復率で潜在的に達成できる新しい機能性を示唆する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空間電荷 ,  *電界放出 ,  電子銃 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  発光 ,  *ケイ素 ,  輝度 ,  電子源 ,  パルス ,  ロバスト性 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 光強度 ,  *負性微分抵抗 ,  パルス電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ナノワイヤ ,  支援 ,  電界放出 ,  負性微分抵抗