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J-GLOBAL ID：202202240449341533   整理番号：22A0508974

エピ犠牲層を用いた音響ブラッグ反射器上へのエピ圧電層の形成

Fabrication of epitaxial piezoelectric layer on acoustic Bragg reflector using epitaxial sacrificial layer

著者 (7件)： 渡海智 (早稲田大) ,  渡海智 (材研) ,  岩田直也 (早稲田大) ,  岩田直也 (材研) ,  柳谷隆彦 (早稲田大) ,  柳谷隆彦 (材研) ,  柳谷隆彦 (JST-CREST)
資料名： 圧電材料・デバイスシンポジウム  (圧電材料・デバイスシンポジウム講演論文集)
巻： 2022  ページ： 73-78  発行年： 2022年01月31日 
JST資料番号： L5218A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・スパッタ法により(0001)サファイア基板上にエピタキシャルAu犠牲層とエピタキシャルZnO圧電層を成長させ,その上にSiO₂/Mo2ペア音響Bragg反射器を形成。
・その後,エピタキシャルAu犠牲層エッチングにより音響Bragg反射器上にエピタキシャルZnO圧電層をもつSMRの作製に成功。
・ロッキングカーブ半値幅0.8°で六回対称を持つ良好な結晶性のエピタキシャルZnO層がBragg反射器上に形成できていることを確認し,1.3GHz付近における共振を確認。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  層 ,  *反射器 ,  *Bragg反射 ,  音波反射 ,  広帯域 ,  周波数特性 ,  SAWフィルタ ,  *薄膜 ,  エッチング ,  半導体プロセス ,  基板 ,  酸化亜鉛 ,  単結晶 ,  *圧電材料
準シソーラス用語： BAWフィルタ ,  サファイア基板 ,  *圧電薄膜 ,  *音響ブラッグ反射器 ,  犠牲層

分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• K. M. Lakin, K. T. McCarron and R. E. Rose, ”Solidly mounted resonators and filters,” Proc. IEEE Ultrason. Symp., (1995).
• Y. Shen, R. Zhang, R. Vetury and J. Shealy, ”40.6 watt, high power 3.55 GHz single crystal XBAW RF filters for 5G infrastructure applications,” Proc. IEEE Ultrason. Symp., no. 9251387, (2020).
• 柳谷隆彦, 「解説 超音波映像装置用の耐電力性プローブ向けの新しいエピタキシャル圧電薄膜材料」, 超音波非破壊検査評価の萌芽技術, (2021).
• Y. Osugi, T. Yoshino, K. Suzuki and T. Hirai, ”Single crystal FBAR with LiNbO₃ and LiTaO₃ piezoelectric substance layers,” IEEE/MTT-S Int. Microwave Symp., no. 4263960, (2007).
• M. Bousquet, P. Perreau, C. Maeder-Pachurka, A. Joulie, F. Delaguillaumie, J. Delprato, G. Enyedi, G. Castellan, C. Eleouet, T. Farjot, C. Billard and A. Reinhardt, ”Lithium niobate film bulk acoustic wave resonator for sub-6 GHz filters,” Proc. IEEE Ultrason. Symp., no. 9251654, (2020).

タイトルに関連する用語 (4件)： 犠牲層 ,  音響 ,  ブラッグ反射器 ,  圧電