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J-GLOBAL ID：202202240530214552   整理番号：22A0956253

14nmノードの短チャネルFinFETデバイスにおけるフィンプロファイルによるホットキャリア劣化の異常傾向【JST・京大機械翻訳】

Abnormal trend in hot carrier degradation with fin profile in short channel FinFET devices at 14 nm node

著者 (14件)： Kuo Ting-Tzu (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Chen Ying-Chung (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Chang Ting-Chang (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Chang Ting-Chang (The Center of Crystal Research, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Chang Kai-Chun (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Yeh Chien-Hung (The Center of Crystal Research, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Ciou Fong-Min (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Lin Yu-Shan (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Lin Yun-Hsuan (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Jin Fu-Yuan (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Hung Wei-Chun (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Chang Yen-Cheng (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Chen Kuan-Hsu (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Lin Jia-Hong (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 4  ページ： 045010 (6pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,異なるベース幅:最小勾配,中ベース試料,および大きな傾斜を有する狭いベース試料を有する,異なるベース幅を定義する,ホットキャリア応力下のフィンプロファイルの影響を調べた。狭い試料の性能は,相互コンダクタンス,オン状態電流,サブ閾値スイングまたはドレイン誘起障壁低下に関係なく,媒質試料よりも優れており,狭いプロファイル試料の移動度とゲート制御が良好であることを示した。長いチャネルデバイスでは,ホットキャリア劣化(HCD)の傾向は以前の参照と一致し,横電場とフィン形状に依存する。しかし,この傾向は短チャネルデバイスでは存在しなかった。正バイアス応力と技術コンピュータ支援設計シミュレーションを適用して,この異常なHCD傾向の理由を明らかにした。最後に,多重振動励起(MVE)メカニズムのフィッティングにより,短チャネルデバイスにおける傾向線の勾配は,曲げモードに実際に整合することが分かった。言い換えれば,HCDとフィンプロファイルの間の一般的傾向の消失は,短チャネルデバイスにおける機構の変化に起因する。MVE機構は電場に依存しないので,狭いプロファイルフィン形状は,短チャネルデバイスの信頼性に影響することなくゲート制御とより良い性能を効果的に促進する。これらの結果は,将来のフィン形状設計者のための明確な方向を提供できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  シミュレーション ,  電場 ,  電流 ,  CAD【計算機】 ,  信頼性 ,  *フィン ,  *FET【トランジスタ】 ,  媒質 ,  多重化 ,  *ホットキャリア ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： *FinFET ,  ゲート制御 ,  *短チャネル ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ノード ,  短チャネル ,  FinFET ,  フィン ,  プロファイル ,  ホットキャリア ,  傾向