文献

J-GLOBAL ID：202202242636927349   整理番号：22A1154309

界面のすべて:高品質h-BN単分子層ペリレンジイミド界面における残留汚染物質は電荷捕獲を引き起こすか?【JST・京大機械翻訳】

All About the Interface: Do Residual Contaminants at A High-Quality h-BN Monolayer Perylene Diimide Interface Cause Charge Trapping?

著者 (8件)： Renn Lukas (1st Institute of Physics, Faculty of Physics, Georg-August-University, Gottingen, Germany) ,  Renn Lukas (AG Physics of Nanosystems, Faculty of Physics, Ludwig-Maximilians-University, Munich, Germany) ,  Walter Lisa S. (1st Institute of Physics, Faculty of Physics, Georg-August-University, Gottingen, Germany) ,  Walter Lisa S. (AG Physics of Nanosystems, Faculty of Physics, Ludwig-Maximilians-University, Munich, Germany) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Taniguchi Takashi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Weitz R. Thomas (1st Institute of Physics, Faculty of Physics, Georg-August-University, Gottingen, Germany) ,  Weitz R. Thomas (AG Physics of Nanosystems, Faculty of Physics, Ludwig-Maximilians-University, Munich, Germany)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 9  号： 10  ページ： e2101701  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子的に薄い有機半導体結晶における固有電荷輸送は電気的測定を行うのに必要な界面の品質に非常に敏感である。最も顕著なことは,誘電体-半導体と半導体-金属界面である。電荷輸送に及ぼす後者の影響は4端子測定により抽出できるが,誘電体界面の影響は,典型的には不活性誘電体を利用して最小化できる。ここでは,n型小分子N,N′-ジ((S)-1-メチルペンチル)-1,7(6)-ジシアノ-ペリレン-3,4:9,10-ビス(ジカルボキシミド)(PDI1MPCN2)に基づく有機電界効果トランジスタにおける電荷輸送が,標準的なSiO_2基板と比較して,誘電体として六方晶窒化ホウ素(h-BN)を用いることにより,1桁まで改良できることを示した。温度依存電気測定を用いて,デバイスの電荷輸送特性を系統的に解析し,5.0cm2V-1s-1までの高い4端子移動度を得た。高い移動度は,不活性h-BNの滑らかな表面による半導体-誘電体界面での電荷-キャリア捕獲の減少に起因すると思われる。それにもかかわらず,移動度,閾値電圧,および界面状態トラップ密度の温度依存性は,誘電体-半導体界面での電荷キャリアトラッピングがまだ存在することを示唆する。薄い空気包装有機膜で行った輸送研究に対するデータを比較することによって,h-BNと単層PDI1MPCN2の間の界面層(水または溶媒残基)が電荷捕獲を引き起こすと結論した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  *界面 ,  電圧 ,  *電荷 ,  半導体 ,  有機半導体 ,  誘電体 ,  FET【トランジスタ】 ,  *単分子層 ,  温度依存性 ,  小分子 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  有機FET ,  閾値電圧 ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷輸送 ,  電界効果トランジスタ ,  インタフェイス ,  有機半導体 ,  van-der-Waals

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 界面 ,  高品質 ,  h-BN ,  単分子層 ,  ペリレンジイミド ,  残留 ,  汚染物質 ,  電荷捕獲