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J-GLOBAL ID：202202242705682508   整理番号：22A0975175

Pdナノ粒子アレイ媒介”スマートスタック”アプローチによるIII-V太陽電池とSiヘテロ接合太陽電池の統合【JST・京大機械翻訳】

Integration of Si Heterojunction Solar Cells with III-V Solar Cells by the Pd Nanoparticle Array-Mediated “Smart Stack” Approach

著者 (10件)： Mizuno Hidenori (Renewable Energy Research Center, Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Fukushima, Japan) ,  Makita Kikuo (Global Zero Emission Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Sai Hitoshi (Global Zero Emission Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Mochizuki Toshimitsu (Renewable Energy Research Center, Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Fukushima, Japan) ,  Matsui Takuya (Global Zero Emission Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Takato Hidetaka (Renewable Energy Research Center, Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Fukushima, Japan) ,  Mueller Ralph (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Germany) ,  Lackner David (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Germany) ,  Dimroth Frank (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Germany) ,  Sugaya Takeyoshi (Global Zero Emission Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 9  ページ： 11322-11329  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,Siヘテロ接合(SHJ)ボトムセルとGaAs関連III-Vトップセルを用いて,Pdナノ粒子(NP)アレイによる異種太陽電池の直列接続を可能にするアプローチである,Siヘテロ接合(SHJ)ボトムセルとGaAs関連III-Vトップセルを用いて,2端子タンデム太陽電池を作製する方法について述べた。典型的なSHJセル上にPd NPアレイを直接配置することは,不十分な電気的接触および/またはSHJ電池の不動態化品質の劣化のため,貧弱なタンデム性能をもたらすことが示唆された。したがって,水素化ナノ結晶Si(nc-Si:H)層をPd NPとSHJセルの間に導入し,電気的接触を改善し,不動態化品質を維持した。このようなnc-Si:HキャップSHJ細胞をInGaP/AlGaAs二重接合セルと統合し,27.4%(AM1.5G以下)の認証効率を達成した。さらに,本論文は27.4%セルの詳細な分析に取り組んだ。セルはスマートスタック界面で比較的大きなギャップを持ち,電池の短絡電流密度(効率)を制限した。したがって,Pd NPの高さにより支配される界面ギャップ距離を減らすことにより,より高い効率が期待できる。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  界面 ,  *太陽電池 ,  *電池 ,  *ケイ素 ,  不動態化 ,  ヒ化ガリウム ,  水素化 ,  直列接続 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ナノ粒子 ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： タンデム太陽電池 ,  短絡電流密度 ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： パラジウム ,  ナノ粒子 ,  III-V ,  シリコン ,  タンデム ,  多重接合 ,  太陽電池 ,  ブロック共重合体 ,  自己集合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： Pd ,  ナノ粒子 ,  アレイ ,  スタック ,  太陽電池 ,  Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  統合