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J-GLOBAL ID：202202245132201163   整理番号：22A0956254

低EMI雑音用のP-Nドープポリシリコンスプリットゲートを持つ新しい3300VトレンチIGBT【JST・京大機械翻訳】

A novel 3300 V trench IGBT with P-N-doped polysilicon split gate for low EMI noise

著者 (10件)： Wang Tongyang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Li Zehong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Li Zehong (Chongqing Institute of Microelectronics Industry Technology, University of Electronic Science and Technology of China, Chongqing, People’s Republic of China) ,  Zhao Yishang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Li Luping (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Yang Yang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Xia Ziming (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Ren Min (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Li Wei (China Resources Microelectronics Limited, Wuxi, People’s Republic of China) ,  Zhang Jinping (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 4  ページ： 045011 (6pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-n-ドープポリシリコンスプリットゲート(PNSG-IGBT)を持つ新しい3300Vトレンチ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を,低電磁干渉雑音に対して提案した。逆バイアスポリシリコンPN接合は横方向に枯渇し,ターンオフ過渡時に変位電流により帯電し,ポリシリコンPN接合(V_N)のn領域およびゲート酸化物(V_ACC)下の静電ポテンシャルを同時に増加させる。技術コンピュータ支援設計シミュレーションにより,ターンオン過渡時に,最大dV_ACC/dtは同じR_Gのスプリットゲート(SG)-IGBTよりも57.1%低く,逆変位電流に起因する過剰V_GEオーバーシュートは効果的に抑制された。さらに,同じE_ONに対して,フリーホイールダイオードの最大逆回復dV_KA/dtは,浮遊P領域-IGBTおよびSG-IGBTと比較して,それぞれ77.3%および30.7%低減でき,dV/dt雑音の抑制において大きなメリットであった。その結果,PNSG-IGBTは,特に20~40MHzの範囲で,高周波数でより少ない共通モード雑音を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  *雑音 ,  シミュレーション ,  ダイオード ,  CAD【計算機】 ,  HF【周波数】 ,  干渉雑音 ,  バイアス ,  オーバシュート ,  モード雑音 ,  *IGBT ,  ターンオフ ,  ターンオン ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： EMI ,  雑音 ,  トレンチ ,  IGBT