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J-GLOBAL ID：202202247835565073   整理番号：22A0461917

正方晶ZrO_2薄膜における結晶粒成長とY偏析挙動に及ぼすアニーリングの効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of annealing on grain growth and Y segregation behavior in tetragonal ZrO₂ thin film

著者 (14件)： Nakade Hiroaki (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Nakade Hiroaki (Next Generation Zirconia Social Cooperation Program, Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Tochigi Eita (PRESTO, Japan Science and Technology Agency, Saitama, Japan) ,  Tochigi Eita (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Feng Bin (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Feng Bin (Next Generation Zirconia Social Cooperation Program, Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Ishikawa Ryo (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Ishikawa Ryo (PRESTO, Japan Science and Technology Agency, Saitama, Japan) ,  Ohta Hiromichi (Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, Sapporo, Japan) ,  Shibata Naoya (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Shibata Naoya (Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, Japan) ,  Ikuhara Yuichi (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Ikuhara Yuichi (Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, Japan) ,  Ikuhara Yuichi (Next Generation Zirconia Social Cooperation Program, Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 105  号： 3  ページ： 2300-2308  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きな粒径を有する正方晶イットリア安定化ジルコニア試料を作製するために,3mol%Y_2O_3ドープジルコニア薄膜を,パルスレーザ蒸着(PLD)とその後の高温アニーリングにより(0001)α-Al_2O_3基板上に成長させた。薄膜試料を1200°C,1250°C,1300°C,および1350°Cでアニールし,Y偏析のない大きな粒径を得た。これらのアニールした膜の微細構造と化学組成を,原子間力顕微鏡,走査電子顕微鏡,およびエネルギー分散X線分光法を用いて分析した。成長したままの薄膜は小傾角粒界に接続した~100nmの[111]配向結晶粒から成ることが分かった。アニールした薄膜の分析に基づいて,正方晶ジルコニアの粒成長が異方的に起こることが明らかになった。断面走査透過電子顕微鏡観察は,このような粒成長挙動がサファイア基板のステップテラス構造により影響されることを明らかにした。エネルギー分散X線分光は,Yが1300°C以下でほぼ均一に分布しているが,1350°Cでは結晶粒界で偏析することを示した。結論として,1300°C焼鈍試料は均一なY分布を有する最大の粒径を示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶成長 ,  高温 ,  *焼なまし ,  走査電子顕微鏡 ,  *薄膜 ,  *偏析 ,  酸化ジルコニウム ,  *結晶粒 ,  小傾角粒界 ,  *正方晶系 ,  X線分光法 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： YSZ【セラミック】 ,  正方晶ジルコニア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱処理 ,  薄膜 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ジルコニア:イットリア安定化ジルコニア

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 正方晶 ,  薄膜 ,  結晶粒成長 ,  偏析 ,  挙動 ,  アニーリング