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J-GLOBAL ID：202202249093636579   整理番号：22A0388716

Cドープp-GaN HEMTにおける動的R_ON過渡現象に及ぼすPoole-Frenkel効果の実験的および数値的研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental and numerical investigation of Poole-Frenkel effect on dynamic R_ON transients in C-doped p-GaN HEMTs

著者 (6件)： Zagni Nicolo (Department of Engineering ‘Enzo Ferrari’, University of Modena and Reggio Emilia, via P. Vivarelli 10, 41125 Modena, Italy) ,  Cioni Marcello (Department of Engineering ‘Enzo Ferrari’, University of Modena and Reggio Emilia, via P. Vivarelli 10, 41125 Modena, Italy) ,  Iucolano Ferdinando (STMicroelectronics, Strada Primosole 50, 95121 Catania, Italy) ,  Moschetti Maurizio (STMicroelectronics, Strada Primosole 50, 95121 Catania, Italy) ,  Verzellesi Giovanni (Department of Sciences and Methods for Engineering (DISMI) and EN&TECH Center, University of Modena and Reggio Emilia, via G. Amendola, 2, 42122 Reggio Emilia, Italy) ,  Chini Alessandro (Department of Engineering ‘Enzo Ferrari’, University of Modena and Reggio Emilia, via P. Vivarelli 10, 41125 Modena, Italy)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 2  ページ： 025006 (5pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Cドープp-GaN HEMTにおける動的R_ON過渡に及ぼすPoole-Frenkel効果(PFE)の影響を調べた。この目的のために,OFF状態応力(即ち,V_GS,STR=0V<V_T,V_DS,STR=25~125V)中に得られた動的R_ON過渡現象の特性づけを行い,数値シミュレーションの支援で結果を解釈した。V_DS,STR=50VおよびT=30°C-110°Cでの動的R_ON過渡現象のArrheniusプロットから抽出される活性化エネルギー(E_A)の同時減少によってさらに確認されたように,室温での動的R_ON過渡現象がV_DS,STR1/2によって加速されることを見出した。較正された数値シミュレーションによって得られた結果は,Cドーピングに関連した緩衝液中の支配的なアクセプタトラップからの正孔発光のPFE増強モデルを含むときのみ,V_DS,STR1/2およびその結果としてのE_A還元に対する過渡時定数(τ)の指数関数的依存性を再現する。この結果は,OFF-状態応力中の動的R_ON増加の根底にある機構として,アクセプタトラップ(電子捕獲より)からの正孔放出を考慮した,「孔-再分配モデルと一致した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  活性化エネルギー ,  過渡現象 ,  正孔 ,  電子捕獲 ,  発光 ,  指数関数 ,  *ドーピング ,  時定数 ,  再分布 ,  キャラクタリゼーション ,  *Poole-Frenkel効果
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *GaN HEMT ,  Arrheniusプロット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドープ ,  GaN ,  HEMT ,  過渡現象 ,  Poole-Frenkel効果 ,  実験 ,  数値 ,  研究