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J-GLOBAL ID：202202256085156256   整理番号：22A1156183

歪と欠陥エンジニアリングによるJanus GaInSeTeナノシートの調整可能な電子および磁気特性に関する第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-Principles Study on the Tunable Electronic and Magnetic Properties of a Janus GaInSeTe Nanosheet via Strain and Defect Engineering

著者 (7件)： Chen Tong (Energy Materials Computing Center, School of Energy and Mechanical Engineering, Jiangxi University of Science and Technology, Nanchang, China) ,  Chen Tong (Department of Physics, Key Laboratory for Low-Dimensional Structures and Quantum Manipulation (Ministry of Education), and Synergetic Innovation Center for Quantum Effects and Applications of Hunan, Hunan Normal University, Changsha, China) ,  Liu Guogang (Energy Materials Computing Center, School of Energy and Mechanical Engineering, Jiangxi University of Science and Technology, Nanchang, China) ,  Dong Xiansheng (Energy Materials Computing Center, School of Energy and Mechanical Engineering, Jiangxi University of Science and Technology, Nanchang, China) ,  Li Huili (Department of Physics, Key Laboratory for Low-Dimensional Structures and Quantum Manipulation (Ministry of Education), and Synergetic Innovation Center for Quantum Effects and Applications of Hunan, Hunan Normal University, Changsha, China) ,  Li Huili (School of Computer Science, Jiangxi University of Traditional Chinese Medicine, Nanchang, China) ,  Zhou Guanghui (Department of Physics, Key Laboratory for Low-Dimensional Structures and Quantum Manipulation (Ministry of Education), and Synergetic Innovation Center for Quantum Effects and Applications of Hunan, Hunan Normal University, Changsha, China)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 51  号： 5  ページ： 2212-2220  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,Janus2次元(2D)材料は,それらの固有の垂直双極子により多くの注目を集めている。ここでは,密度汎関数理論に基づく第一原理法を採用することにより,新しいタイプの二次元グラフェン様JanusGaInSeTe単分子層の電子および磁気特性を広範囲に調べた。2D Janus GaInSeTeは,高い動的安定性を示し,直接バンドギャップ半導体として作用することが分かった。GaInSeTeナノシートの新しい電子と磁気特性は,二軸歪と原子サイズの構造欠陥によって変調できる。特に,半導体-金属と直接-間接半導体遷移の著しい変化は,二軸歪によって駆動される。結果はまた,異なるタイプの単一空孔と多重空格子点がGaInSeTe単分子層の電子と磁気特性を効果的に変えることができることを確認した。異なる空孔に依存して,それらは金属([数式:原文を参照]および[数式:原文を参照]),直接バンドギャップ半導体(V[数式:原文を参照],[数式:原文を参照]および[数式:原文を参照])および間接バンドギャップ半導体([数式:原文を参照],[数式:原文を参照])をそれぞれ誘導する。また,In空格子点の包含はJanusGaInSeTe単分子層の磁性を誘起することが分かった。さらに,結果は,Janus GaInSeTe単分子層の電子および磁気特性が,空格子点および外部歪によって著しく変調され,それは,磁性または非磁性の多様なバンドギャップ,半導体または金属構造における多重磁気モーメントを示した。JanusGaInSeTe単分子層のこれらの調整可能な電子構造と磁気特性は,低次元スピントロニクスデバイスの開発に利用できる。JanusGaInSeTe単分子層の電子および磁気特性は,空格子点および外部歪によって著しく変調され,それは,半導体または金属構造において,様々な磁気または非磁性バンドギャップおよび多重磁気モーメントを示した。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空格子点 ,  磁気モーメント ,  半導体 ,  *インジウム ,  単分子層 ,  *磁気 ,  多重化 ,  双極子 ,  二次元 ,  磁性 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  グラフェン
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  非磁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Janus GaInSeTeナノシート ,  歪工学 ,  欠陥工学 ,  第一原理研究 ,  調整可能な電子および磁気特性

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 歪 ,  欠陥 ,  エンジニアリング ,  ナノシート ,  電子 ,  磁気特性 ,  第一原理 ,  研究