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J-GLOBAL ID：202202258304819443   整理番号：22A0433236

非晶質SZTOトランジスタにおける時間依存正バイアス応力下のヒステリシス電圧と安定性に及ぼす酸素空孔の変化の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of change of oxygen vacancy on hysteresis voltage and stability under time-temperature dependence positive bias stress in amorphous SZTO transistors

著者 (4件)： Murugan Balaji (Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea) ,  Murugan Balaji (Gachon Advanced Institute of Semiconductor Technology, Gachon University, Seongnam-Si, Gyeonggi-Do 13120, Republic of Korea) ,  Lee Sang Yeol (Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si, Gyeonggi-do 13120, Republic of Korea) ,  Lee Sang Yeol (Gachon Advanced Institute of Semiconductor Technology, Gachon University, Seongnam-Si, Gyeonggi-Do 13120, Republic of Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 253  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質シリコン亜鉛スズ酸化物(a-SZTO)薄膜トランジスタ(TFTs)の固定温度(PBTS)での時間依存正バイアス応力下の電圧ヒステリシス(V_Hys)と不安定性に関する研究を,高周波(RF)スパッタリングによるa-SZTOチャネル材料成長中の酸素流量(OFR)を変えて調べた。電流-電圧(I-V)測定を最初に用いてV_Hysを調べ,V_HysがOFRの増加により広がることを明らかにした。a-SZTO TFTsの閾値電圧(V_th)シフトと,a-SZTO TFTの電気的性質と電気安定性に及ぼすOFRの影響を,PBTS測定によって分析した。PBTSから,閾値電圧シフト差(ΔV_th)はOFRが増加するにつれて増加することを観測した。これらの結果から,これらの結果の妥当な理由は,OFRにより誘導されたアクセプタ様トラップ状態に起因する可能性があると結論した。アクセプタ様状態として作用するGauss様状態,過剰または弱く結合した酸素の密度は,チャネル材料の堆積中のOFRの増加により増加する。これらの結果は,他の非晶質酸化物系TFTsの将来の研究にとって一般的に重要であると期待される。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  *電圧 ,  電流 ,  *トランジスタ ,  電気的性質 ,  *酸素 ,  薄膜トランジスタ ,  酸化スズ ,  HF【周波数】 ,  *非晶質 ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  *酸素空格子点 ,  酸素流量 ,  閾値電圧シフト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸素流量 ,  PBTS ,  A-SZTO ,  ヒステリシス ,  安定性 ,  TFT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非晶質 ,  トランジスタ ,  バイアス ,  応力 ,  ヒステリシス ,  安定性 ,  酸素空孔