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J-GLOBAL ID:202202258650996446   整理番号:22A0418615

多次元RFシースモデルと半導体製造プラズマエッチング装置への応用

著者 (2件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: 4383-4387  発行年: 2022年01月31日 
JST資料番号: L5669A  ISSN: 1341-7622  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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・半導体デバイスの製造においては,配線用の孔や溝を掘るエッチング工程,配線の形状や絶縁膜を積み上げる成膜工程等,プラズマを用いたプロセスを多用。
・半導体デバイス製造におけるプラズマプロセスでは,精密なエッチングや堆積膜の特性向上のため,ウェーハに入射するイオンのエネルギー分布や角度分布を把握,精密に制御することが必要。
・任意形状周りに形成されるrfシースの運動と,振動するシース中をウェーハに向かって加速するイオンの運動,背景ガスの衝突を多次元かつ非定常計算可能なrfシースモデルを紹介。
・理論の概要を説明後,量産対応エッチング装置への実践的応用事例を披露。
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シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  プラズマ一般 
引用文献 (20件):
  • V. M. Donnelly and A. Kornblit, Plasma etching: Yesterday, today, and tomorrow, J. Vac. Sci. Technol. A, 31(5), 050825, (2013).
  • H. Mochiki, K. Yatsuda, S. Okamoto, F. Inoue, Enhancement Mechanism of Distortion and Twisting in Ultra High Aspect Ratio Dielectric Etching, AVS 56th Int Symp., PS2+MN-WeA4, (2009).
  • K. Denpoh, S. Wakabayashi, S. Okabe, Y. Kobayashi, S. Kawasaki, K. Hikawa, Y. Yamazawa, M. Matsukuma, C. Koshimizu, T. Shimizu and S. Murakami, Novel PECVD equipment for Ti thin film deposition utilizing Ar-based plasma and wafer stage impedance control, Proc. 2016 Int. Symp. Dry Process, pp.183-184, (2016).
  • S. Iwashita, K. Denpoh, T. Kikuchi, Y. Suzuki, Y. Wagatsuma, T. Hasegawa and T. Moriya, Impact of ion energies in Ar/H2 capacitively coupled radio frequency discharges on PEALD processes of titanium films, 350, pp.740-744, (2018).
  • S. Iwashita, K. Denpoh, M. Kagaya, T. Kikuchi, N. Noro, T. Hasegawa and T. Moriya, and A. Uedono, Ion energy control and its applicability to plasma enhanced atomic layer deposition for synthesizing titanium dioxide films, Thin Solid Films, 660, pp.865-870, (2018).
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