文献
J-GLOBAL ID:202202262121484977   整理番号:22A1094673

シリコン中の有限サイズ拡張格子間欠陥の原子構造と安定性:神経回路網ポテンシャルによる大規模分子シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Atomic structures and stability of finite-size extended interstitial defects in silicon: Large-scale molecular simulations with a neural-network potential
著者 (9件):
資料名:
巻: 214  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0915A  ISSN: 1359-6462  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
結晶Siにおける種々の拡張格子間(I)欠陥のエネルギー論を,密度汎関数理論(DFT)データで訓練された人工神経ネットワーク(ANN)ポテンシャルを構築することにより調べ,正確な大規模シミュレーションを実行し,よく収束した形成エネルギー(E_f)を得ることを可能にした。格子間nの数を約1000に変えて,E_fをコンパクトなクラスタ,I_12様,(001)面,(311)ロッド状およびFrankループ欠陥に対して計算した。n≦36では,nに依存して,コンパクトクラスタまたは(311)ロッド状欠陥が最も安定であることを見いだした。この傾向はシミュレーションセルサイズに強く依存し,十分に大きな細胞の重要性を示唆した。36<n≦860では,(311)ロッド状欠陥が最も安定であるが,Frankループ欠陥はより大きなnに対して最も安定になる。ANNポテンシャルは,E_fと欠陥構造の予測において,経験的ポテンシャルより優れていることを実証した。さらに,E_fのANN値は,デバイス製造プロセスの巨視的シミュレーションを精製する目的で,解析関数に適合した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属の格子欠陥  ,  変態組織,加工組織 

前のページに戻る