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J-GLOBAL ID：202202262306247436   整理番号：22A1113386

神経形態操作のための2端子有機-無機ハロゲン化物ペロブスカイト書き換え可能メモリスタの挙動に及ぼす温度変化の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of temperature variations on the behavior of a two-terminal organic-inorganic halide perovskite rewritable memristor for neuromorphic operations

著者 (4件)： Nenashev Grigorii V. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya, St Petersburg, 194021, Russian Federation) ,  Aleshin Andrey N. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya, St Petersburg, 194021, Russian Federation) ,  Shcherbakov Igor P. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya, St Petersburg, 194021, Russian Federation) ,  Petrov Vasily N. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya, St Petersburg, 194021, Russian Federation)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 348-349  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 生物学的信号処理,学習および記憶機能のエミュレーションは,人工学習回路の開発に不可欠である。ここでは,神経形態学的操作のための有機-無機ハイブリッドペロブスカイトベースの2端子再書込み型メムリスタの作製について報告する。平面形状における2端子有機-無機ペロブスカイト-酸化グラフェン再書き込み可能メムリスタの電流-電圧(I-V)特性挙動における温度変化を調べた。抵抗スイッチング効果は~40nsのスイッチング時間を持ち,250K以下の温度でより顕著であり,次にイオン伝導率凍結と電子輸送が支配的であった。この効果は正と負の電圧の両方で観察され,I-VのヒステリシスはT<250Kで著しく減少した。290Kから100Kまでの温度でのコンダクタンスの変化は,T<200Kでのペロブスカイト膜における相構造転移の可能な影響を有する外部電場下のイオン移動から電子伝導への遷移に起因した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電流 ,  学習 ,  凍結 ,  イオン輸送 ,  エミュレーション ,  *温度変動 ,  構造相転移 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 電子伝導 ,  抵抗スイッチング ,  外部電場 ,  *メモリスタ ,  酸化グラフェン ,  電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： D.輸送現象 ,  C.欠陥 ,  有機-無機ペロブスカイト ,  D.抵抗スイッチング

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 神経 ,  形態 ,  ハロゲン化物 ,  ペロブスカイト ,  書き換え可能 ,  メモリスタ ,  挙動 ,  温度変化