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J-GLOBAL ID：202202263200501056   整理番号：22A0430489

MOSFETにおけるポリシリコン欠陥局在化を迅速にするためのElectronビーム誘起電流(EBIC)イメージング技術【JST・京大機械翻訳】

Electron-beam-induced current (EBIC) imaging technique to quicken polysilicon defect localization in MOSFETs

著者 (9件)： Zheng Shijun (Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China) ,  Chen Ran (Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China) ,  Yang Jianli (Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China) ,  Wang Yanfen (Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China) ,  Che Yi (Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China) ,  Du Mei (Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China) ,  Tian Li (Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China) ,  Zhai Lin (Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China) ,  Li Jinglong (Product Quality Center, NXP Semiconductors, Inc., Tianjin, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 128  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EBICイメージング技術は,金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の高速局在化ポリシリコン欠陥において優れていることを実証した。ポリシリコン漏洩現象を調べると,EBICイメージング解析に依存し,数十ミクロン長範囲のナノスケール欠陥を迅速に分離できた。故障ポリシリコンは1つ以上のMOSFETにより採用されるが,EBICイメージング解析後の全てのデバイスを特徴付けるのは不要である。比較研究により,2プローブEBICイメージングはメガ-オーム範囲抵抗欠陥局在化に対して優先されるが,一方,1プローブ配置はキロ-オーム範囲にのみ適用可能であると結論した。分離したデバイスのナノプローブI-V測定は,EBICイメージング解析とかなり整列する異常な電気特性を明らかにした。集束イオンビーム(FIB)と透過型電子顕微鏡(TEM)の発見は,EBICイメージングが抵抗欠陥に対してサブミクロンレベルの空間分解能を持つことを意味する。したがって,それは技術的方法に関して伝統的限界を克服して,かなり低い故障解析(FA)困難性を,かなり困難にする。最後に,この応用の物理的メカニズムを説明するために単純化モデルを提案した。著者らのモデリングは,電子ビーム(eビーム)がバルクシリコンに浸透するとき,浅いp-n接合内のホットな過剰キャリア挙動に及ぼすEBICイメージングの強い依存性を記述する。本研究は,走査電子ビーム照射下でのp-n接合における過剰な少数キャリア輸送特性の理解を改善する。そして,本論文は,EBICイメージングが将来の先進MOSFETの微小材料欠陥を同定するより有望な方法であるかもしれない。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  電子照射 ,  電子ビーム ,  半導体 ,  故障 ,  酸化物 ,  *MOSFET ,  *画像処理 ,  故障解析 ,  *電子線誘起電流 ,  集束イオンビーム ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： ナノスケール ,  ナノプローブ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノプローブ ,  EBIC ,  p-n接合 ,  MOSFET ,  故障解析

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOSFET ,  ポリシリコン ,  欠陥 ,  局在化 ,  ビーム ,  誘起 ,  EBIC ,  イメージング技術