文献

J-GLOBAL ID：202202264244162410   整理番号：22A0388712

MFISゲートスタックを有する強誘電体FinFETシナプスの保持特性のコンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】

Compact model of retention characteristics of ferroelectric FinFET synapse with MFIS gate stack

著者 (8件)： Baig Md Aftab (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Le Hoang-Hiep (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  De Sourav (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Chang Che-Wei (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Hsieh Chia-Chi (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Huang Xiao-Shan (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Lee Yao-Jen (Taiwan Semiconductor Research Institute, Hsinchu, Taiwan, ROC) ,  Lu Darsen D (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 2  ページ： 024001 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,多重フィンn-およびp-チャネルHfZrO_2強誘電体-FinFETデバイスを,ポストメタル化アニーリングによるゲート第一プロセスを用いて作製した。プログラムと消去操作におけるデバイス転送特性を測定し,モデル化した。脱分極場と電荷注入による移動特性におけるドリフトを,垂直磁場依存移動度劣化パラメータの時間依存モデリングと共に閾値電圧のシフトを用いて捕捉し,強誘電体-FinFETデバイスに対する物理的,計算的に効率的で正確な保持モデルを開発した。モデル化コンダクタンスは,ニューラルネットワークの画像認識精度の改善における高および低コンダクタンス状態間のギャップの重要性と同様に,保持劣化によるコンダクタンスドリフトの役割を解析するために,深いニューラルネットワークシミュレーションプラットフォームCIMulatorに組み込まれた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  *強誘電体 ,  焼なまし ,  フィン ,  ニューラルネットワーク ,  *シナプス ,  脱分極 ,  ドリフト ,  多重化 ,  メタル化 ,  キャリア注入 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  *FinFET ,  閾値電圧シフト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲートスタック ,  強誘電体 ,  FinFET ,  シナプス ,  保持特性 ,  コンパクトモデル