文献
J-GLOBAL ID:202202264793852654   整理番号:22A1215680

触媒的原子状水素処理によるスパッタリングHZO薄膜の強誘電性向上

Enhancement of ferroelectricity in sputtered HZO thin films by catalytically generated atomic hydrogen treatment
著者 (8件):
資料名:
巻: 61  号: SH  ページ: SH1004 (10pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: G0520C  ISSN: 1347-4065  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
概要:厚さ10nmの酸化ハフニウム-酸化ジルコニウム(HZO)薄膜の電気特性に対する触媒的原子状水素(Cat-H)処理の影響を調べた。その結果,Cat-H処理はHZO膜の結晶化後に準安定な斜方晶相を安定化させるのに有効であることが示された。Cat-H処理による強誘電性の向上は,100Paの減圧下で結晶化したスパッタリングHZO膜,窒素および大気中で結晶化した膜で顕著に確認された。また,Cat-H処理により,再アニールに対する安定性も向上することがわかった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る