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J-GLOBAL ID：202202265445192239   整理番号：22A0389021

中性ビームエッチングによるEUVレジスト損傷の低減【JST・京大機械翻訳】

Reduction of EUV resist damage by neutral beam etching

著者 (6件)： Kim Gyo Wun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, Republic of Korea) ,  Chang Won Jun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, Republic of Korea) ,  Kang Ji Eun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, Republic of Korea) ,  Kim Hee Ju (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, Republic of Korea) ,  Yeom Geun Young (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, Republic of Korea) ,  Yeom Geun Young (SKKU Advanced Institute of Nano Technology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, Republic of Korea)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 9  ページ： 095301 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVリソグラフィーは,光源の波長として193nmの代わりに13.5nmの代わりに,ArF浸漬リソグラフィーと比較して,より微細なパターンを励起する利点を持っているが,EUV光源の低エネルギーに起因して,EUVレジストは,従来のArFレジストよりも薄い厚さを有する。このような薄い厚さを有するEUVレジストは,その低いエッチング抵抗のためエッチング中に受ける照射損傷に対してより脆弱であり,また,低いエッチング選択性の問題を有する傾向がある。本研究では,CF_4ガスを用いたSi_3N_4,SiO_2などのハードマスク材料のエッチング中のEUVレジストへの照射損傷を,中性ビームエッチング(NBE)とイオンビームエッチング(IBE)の間で比較した。NBEを使用したとき,20nm厚さのEUVレジストのエッチングの後,IBEによるものと比較して,EUVレジストのラインエッジ粗さは増加し,臨界寸法変化は,それぞれ~1/3と1/2減少した。また,EUVエッチング深さにおいて,NBEによってエッチングされたEUVレジストの二乗平均表面粗さ値は,平均でIBEによるそれと比較して約2/3であった。また,SiO_2,Si_3N_4,EUVレジスト間のエッチング選択性はIBEに比べてNBEの方が高いことを確認した。EUVレジストへのより少ない損傷と,IBEと比較してNBEに対するEUVレジスト上のSi_3N_4とSiO_2のような材料のより高いエッチング選択性は,NBEによるエッチング中のイオンの中和によって解放されるポテンシャルエネルギーと関係があると考えられる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  *エッチング ,  光源 ,  照射損傷 ,  波長 ,  *レジスト ,  リソグラフィー ,  イオンエッチング
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  ハードマスク ,  ラインエッジ粗さ ,  フッ化アルゴン ,  臨界寸法 ,  EUV光源 ,  *EUVレジスト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中性ビーム ,  エッチング ,  EUVレジスト ,  損傷