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J-GLOBAL ID：202202272803803178   整理番号：22A0735560

高効率で安定な酸素還元反応のための窒素ドープグラフェンナノシート上に固定したリッチで被覆されていないFeN_x原子クラスタ【JST・京大機械翻訳】

Rich and uncovered FeN_x atom clusters anchored on nitrogen-doped graphene nanosheets for highly efficient and stable oxygen reduction reaction

著者 (12件)： Liu Dawei (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Wang Bin (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Srinivas Katam (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Yu Bo (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Chen Xin (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Ma Fei (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Wang Xinqiang (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Zhang Xiaojuan (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Yang Dongxu (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Yang Dongxu (Institute of Oxygen Supply, and college of Science, Tibet University, Lhasa 850000, PR China) ,  Chen Yuanfu (School of Electronic Science and Engineering, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Chen Yuanfu (Institute of Oxygen Supply, and college of Science, Tibet University, Lhasa 850000, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 901  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素還元反応(ORR)に対して豊富で非被覆の触媒活性部位を有する非貴金属触媒を合成するのは,まだ困難である。また,FeN_x原子クラスタのORR特性の限られた研究は,それらの実際の実用化を妨げる。ここでは,3次元(3D)ZIF-8,2D酸化グラフェンナノシート,およびフェロセンから誘導される窒素ドープグラフェンナノシート(Fe-N-C/NG)上に固定された豊富で十分に露出したFeN_x原子クラスタによって構築された二次元(2D)非貴金属ORR触媒を報告する。最適化したFe-N-C/NGは,優れたORR活性(E_onset=0.97V,E_1/2=0.84V,J_d=5.48mAcm-2),優れたTafel勾配(57.7mVdec-1),顕著な長期耐久性,およびアルカリ電解質中の強いメタノール耐性をもたらした。その優れた触媒活性は,ナノアーキテクチャのユニークな変換と相乗効果に起因し,モルフォロジーの変化は,2D酸化グラフェンと3DZIF-8の利点を効果的に利用し,これは,十分で到達可能な活性部位を保証する。Fe-N-C/NGの2D多孔性ナノ構造はイオン拡散と機械的安定性を促進した。FeN_x原子クラスタとNドープグラフェンナノシートの両方が触媒活性を促進した。本研究では,ナノアーキテクチャを合理的に設計し,高効率で耐久性の高い活性部位を有する非貴金属ORR触媒を簡便に合成する革新的戦略を紹介した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  酸化 ,  貴金属 ,  酸化物 ,  *被覆 ,  触媒活性 ,  フェロセン ,  活性部位 ,  三次元 ,  計算機アーキテクチャ ,  モルフォロジー ,  *グラフェン ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： *原子クラスタ ,  酸化グラフェン ,  *窒素ドーピング ,  *グラフェンナノシート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： FeN_x原子クラスタ ,  酸素還元反応 ,  ゼオライトイミダゾラート骨格-8 ,  フェロセン ,  酸化グラフェン

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学一般  (CB08010U)

物質索引 (1件)： メタノール

タイトルに関連する用語 (5件)： 高効率 ,  酸素還元反応 ,  窒素ドープ ,  グラフェンナノシート ,  原子クラスタ