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J-GLOBAL ID：202202274083302072   整理番号：22A0473088

OVPE法による多結晶形成と高速GaN結晶成長の抑制に及ぼす付加的N_2Oガスの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of additional N₂O gas on the suppression of polycrystal formation and high-rate GaN crystal growth by OVPE method

著者 (15件)： Shimizu Ayumu (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Kitamoto Akira (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Kamiyama Masahiro (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Tsuno Shintaro (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Ishibashi Keiju (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Usami Shigeyoshi (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Imanishi Masayuki (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Maruyama Mihoko (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Yoshimura Masashi (Institute of Laser Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Sumi Tomoaki (Panasonic Corporation, Kadoma, Osaka 571-8502, Japan) ,  Takino Junichi (Panasonic Corporation, Kadoma, Osaka 571-8502, Japan) ,  Okayama Yoshio (Panasonic Corporation, Kadoma, Osaka 571-8502, Japan) ,  Hata Masahiko (Itochu Plastics Inc., Chiyoda-ku, Tokyo 102-0082, Japan) ,  Isemura Masashi (Sosho-Ohshin Inc., Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Mori Yusuke (Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 581  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物気相エピタキシー(OVPE)法における課題の一つは,厚いGaN結晶の高速成長のための多結晶形成を抑制することである。本研究では,OVPE-GaN成長における多結晶形成を抑制する方法として,N_2Oガスの添加を示した。N_2OガスがGa液滴,多結晶GaNの起源を除去できることを確認した。結果は,多結晶密度がN_2Oガスの添加によって減少することを示した。N_2Oガス流量の増加による成長速度の低下はH_2O蒸気に比べて小さく,これはN_2OがGaN成長反応に直接影響しないという事実と一致した。さらに,128μm/hの成長速度で512μm厚さのOVPE-GaN層を得たが,これはOVPE法における厚いGaN層の成長に対して最も高い値であった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 液滴 ,  気相成長 ,  結晶成長 ,  半導体 ,  *ガリウム ,  酸化物 ,  *多結晶 ,  *窒化ガリウム ,  成長速度
準シソーラス用語： ガス流量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 蒸気から成長したA_2 ,  A_3 気相エピタキシー ,  B1.窒化物 ,  B2 半導体III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多結晶 ,  GaN ,  結晶成長