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J-GLOBAL ID：202202277032762409   整理番号：22A0726826

低温Ni誘起横方向結晶化により形成した絶縁体上の三次元配向制御Geロッド【JST・京大機械翻訳】

Three-Dimensionally Orientation-Controlled Ge Rods on an Insulator Formed by Low-Temperature Ni-Induced Lateral Crystallization

著者 (6件)： Ishiyama Takamitsu (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Imajo Toshifumi (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Saitoh Noriyuki (Electron Microscope Facility, TIA, AIST, Ibaraki, Japan) ,  Yoshizawa Noriko (Global Zero Emission Research Center, AIST, Ibaraki, Japan) ,  Suemasu Takashi (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Toko Kaoru (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 22  号： 2  ページ： 1123-1129  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶Ge-(Sn)薄膜のキャリア移動度は,固相結晶化における非晶質前駆体の変調により,近年著しく更新された。しかし,非制御結晶粒界と結晶方位は薄膜トランジスタ(TFT)応用に関連する主要な問題である。これらの問題を克服するために,Ni触媒を用いた金属誘起横方向結晶化に及ぼす非晶質Ge-(Sn)前駆体の影響を調べた。その場光学顕微鏡とRaman分光法は,非晶質Geの緻密化が活性化エネルギーを下げるよりむしろ周波数因子を増加させることによって横方向結晶化を促進することを明らかにした。325°Cでの低温アニーリングは,エネルギー分散X線分光計によりNiフリーである大きなGeロッド(10μm長さ,2μm幅)の合成を可能にした。さらに,電子ビーム後方散乱回折と透過電子顕微鏡分析は,GeロッドがNiパターンから<110>方向に成長し,法線方向に{110}面に配向し,Geロッドの縦方向に{100}配向をもたらすことを明らかにした。そこで,低温の絶縁体上に三次元配向制御Geロッドを開発した。この成果は,安定な高性能動作を有するTFTsの道を開き,先進的なフレキシブルデバイスの開発を可能にするであろう。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶化 ,  結晶粒界 ,  焼なまし ,  *低温 ,  薄膜 ,  *ゲルマニウム ,  *ニッケル ,  薄膜トランジスタ ,  結晶方位 ,  緻密化 ,  非晶質 ,  多結晶 ,  固相 ,  *三次元
準シソーラス用語： フレキシブルデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  Ni ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化 ,  絶縁体 ,  配向制御 ,  Ge ,  ロッド