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J-GLOBAL ID：202202281363883559   整理番号：22A0771534

持続可能なエネルギーデバイスに用いる化学堆積硫化スズアンチモン薄膜の錯化剤依存特性【JST・京大機械翻訳】

Complexing Agent-Dependent Properties of Chemically Deposited Tin Antimony Sulphide Thin Films for Use in Sustainable Energy Devices

著者 (3件)： Nwofe Patrick Akata (Faculty of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science, Noda, Japan) ,  Nwofe Patrick Akata (Faculty of Science, Department of Industrial Physics, Ebonyi State University, Abakaliki, Nigeria) ,  Sugiyama Mutsumi (Faculty of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science, Noda, Japan)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 51  号： 3  ページ： 1148-1162  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 錯化剤は化学反応速度の制御に重要である。硫化スズアンチモン(Sn_2Sb_2S_5)薄膜をガラス基板上に堆積し,それらの特性に及ぼす異なる錯化剤[トリ-クエン酸ナトリウム(Na_3C_6H_5O_7)と酒石酸(C_4H_6O_6)]の影響を調べた。X線回折研究は,膜が斜方晶系構造に結晶化することを示した。Na_3C_6H_5O_7で成長させた膜は,増加した組織化とより高い結晶サイズ(16.6~22.1nm)を示し,一方,C_4H_6O_6のそれは16.80と20.0nmの間であった。エネルギー分散分光法研究は,アンチモン/硫黄比が前者中のスズ含有量の増加とともに増加し,後者中のスズ含有量の増加とともに減少することを明らかにした。X線光電子分光研究はSn_2Sb_2S_5膜の形成を確認した。走査電子顕微鏡分析は,Na_3C_6H_5O_7におけるシード状からブロック状構造への形態学的進化とC_4H_6O_6環境におけるシード状構造を示した。光学分光法の結果は,膜が光吸収係数(α)>104cm-1と古典的なBurstein-Mossシフトを示す直接エネルギーバンドギャップを有することを示した。エネルギーバンドギャップと処理パラメータは,R2の高い値を持つ二次モデルに適合した。Hall効果研究からの電気的性質は,持続可能なエネルギーデバイスでの使用に適した範囲のSn_2Sb_2S_5の典型的な半導体特性を与える。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶化 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  化学反応 ,  電気的性質 ,  *アンチモン ,  *スズ ,  *硫化物 ,  *スズ化合物 ,  硫黄 ,  斜方晶系 ,  X線光電子分光法 ,  バンドギャップ ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： *錯化剤 ,  ガラス基板 ,  *硫化スズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 錯化剤 ,  持続可能なエネルギーデバイス ,  Sn_2Sb_2S_5 ,  光学定数 ,  吸収層

分類 (4件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 持続可能なエネルギー ,  化学 ,  堆積 ,  硫化スズ ,  アンチモン ,  薄膜 ,  錯化剤