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J-GLOBAL ID：202202287989027366   整理番号：22A0549848

pドープシリコン電界エミッタの電流飽和準位の起源【JST・京大機械翻訳】

Origin of the current saturation level of p-doped silicon field emitters

著者 (11件)： Edler Simon (Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany) ,  Schels Andreas (Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany) ,  Herdl Florian (Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany) ,  Hansch Walter (Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany) ,  Bachmann Michael (Ketek GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Dudeck Markus (Ketek GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Duesberg Felix (Ketek GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Pahlke Andreas (Ketek GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Hausladen Matthias (Faculty of Applied Natural Sciences and Cultural Studies, OTH Regensburg, 93053 Regensburg, Germany) ,  Buchner Philipp (Faculty of Applied Natural Sciences and Cultural Studies, OTH Regensburg, 93053 Regensburg, Germany) ,  Schreiner Rupert (Faculty of Applied Natural Sciences and Cultural Studies, OTH Regensburg, 93053 Regensburg, Germany)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 40  号： 1  ページ： 013203-013203-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界エミッタのためのp型半導体の使用は,カソードの寿命を改善するために,統合電流リミッタを実現するための一つの簡単な方法である。本研究では,p型シリコンエミッタの電流飽和の起源を詳細に調べた。単一エミッタを電気的に特性化し,シミュレーション結果と比較した。高い表面生成速度と先端温度の上昇を考慮したシミュレーションモデルで,測定データとの良好な一致が見られた。この観察は,実験的に表面の変化によって支持された。フッ化水素酸中での種々の処理後の電気的測定と室温での加熱およびその後の操作は,表面生成の影響によってよく説明される。さらに,電場浸透は,小さな電圧降下と,電場増強因子の強い形状依存低減につながることを示した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  浸透 ,  電場 ,  電気測定 ,  *電流 ,  シミュレーションモデル ,  *電極 ,  飽和 ,  P型半導体 ,  限流器 ,  電圧降下 ,  カソード
準シソーラス用語： フッ化水素酸 ,  生成速度 ,  *電界エミッタ ,  P型シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  シリコン ,  電界エミッタ ,  飽和 ,  起源