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J-GLOBAL ID：202202290558367872   整理番号：22A1043679

極端紫外ダマシン拡張の詳細な実現可能性研究:パターン形成,誘電エッチおよびメタライゼーション【JST・京大機械翻訳】

In-depth feasibility study of extreme ultraviolet damascene extension: Patterning, dielectric etch, and metallization

著者 (10件)： Sun Xinghua (TEL Technology Center, America, LLC, 255 Fuller Road, Suite 214, Albany, New York 12203) ,  Mignot Yann (IBM Research Albany, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203) ,  Cole Christopher (TEL Technology Center, America, LLC, 255 Fuller Road, Suite 214, Albany, New York 12203) ,  Liu Eric (TEL Technology Center, America, LLC, 255 Fuller Road, Suite 214, Albany, New York 12203) ,  Santos Daniel (TEL Technology Center, America, LLC, 255 Fuller Road, Suite 214, Albany, New York 12203) ,  Raley Angelique (TEL Technology Center, America, LLC, 255 Fuller Road, Suite 214, Albany, New York 12203) ,  Church Jennifer (IBM Research Albany, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203) ,  Meli Luciana (IBM Research Albany, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203) ,  Sieg Stuart A. (IBM Research Albany, 257 Fuller Road, Albany, New York 12203) ,  Biolsi Peter (TEL Technology Center, America, LLC, 255 Fuller Road, Suite 214, Albany, New York 12203)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 40  号： 2  ページ： 023207-023207-9  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体論理デバイスノードはN3に移動し,それを超えると,ライン(BEOL)金属ピッチのバックエンドは,デバイス性能と密度を改善するために攻撃的にスケーリングされる。BEOLダマシン拡張は,26~21nmの全金属ピッチと相互接続する。ダマシン拡張の課題は,極端紫外線(EUV)単一曝露限界,誘電体エッチング,およびメタライゼーション課題により,非常に重大である。マルチパターニングは,より進んだ低K誘電体エッチングと同様に必要である。厳しいラインウィングリング,悪い/接触ホール開放,および/トレンチショート問題を容易に観察できる。Cu抵抗もデバイスのR/C遅延の大部分に寄与した。サブトラクティブ金属統合への移行の前に,マルチパターニングダマシン拡張がそれらの間のギャップを橋渡しする際に重要な役割を果たすという疑問はない。本研究では,24nmピッチラインと空間に対するカットとブロックアセンブリによるEUV自己整合二重パターニングに焦点を当てたダマシン拡張に関する詳細なフィージビリティ研究を提供した。また,二重ダマシンテストのために,EUV二重パターン化自己整列を確証した。連続波と準原子層エッチングの両方を開発し,TELの新世代容量結合プラズマエッチング装置において,ワイブルフリー,ブリッジフリー,高金属ハードマスク選択性プロセスを達成した。銅メタライゼーションは24nmピッチのビアとトレンチの両方で実証された。この報告は,高体積製造のダマシン拡張実現可能性への重要な洞察を提供する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  半導体 ,  誘電体 ,  銅 ,  相互接続 ,  マスク ,  論理素子 ,  *メタライゼーション ,  連続波 ,  自己整合 ,  *パターン形成 ,  *半導体プロセス ,  *極端紫外線
準シソーラス用語： BEOL ,  *ダマシン ,  ハードマスク ,  ダブルパターニング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 極端紫外 ,  ダマシン ,  拡張 ,  実現可能性 ,  研究 ,  パターン形成 ,  エッチ ,  メタライゼーション