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J-GLOBAL ID:202202290687366656   整理番号:22A1076178

高温下でのInGaP半導体中性子検出デバイスの開発

Development of InGaP semiconductor neutron detection devices under high-temperature conditions
著者 (5件):
資料名:
巻: 2022  ページ: ROMBUNNO.3B07  発行年: 2022年 
JST資料番号: G0939B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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次世代の小型モジュール炉(SMR)等において中性子束を正確に把握する小型かつ高精度な計測システムが求められている。我々は,高放射線耐性の太陽電池素子を用いた内部電位駆動型放射線検出素子の開発を進めており,本報告では,InGaP中性子検出素子における検出感度の高温動作挙動について議論する。(著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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放射線検出・検出器 
引用文献 (2件):
  • Okuno, Y., et al., J. Nucl. Sci. Technol. 56, (2019).
  • Vaillon, R., et al., Cell Reports Phys. Sci. 1, 1-20 (2020).
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