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J-GLOBAL ID：202202290721037892   整理番号：22A0430494

欠陥蓄積が固有絶縁破壊と絶縁破壊後伝導をもたらす輸送モデル【JST・京大機械翻訳】

A transport model describing how defect accumulation leads to intrinsic dielectric breakdown and post-breakdown conduction

著者 (3件)： Xu Yueming (Department of Chemical and Biological Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Lu Toh-Ming (Department of Physics, Applied Physics and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Plawsky Joel L. (Department of Chemical and Biological Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 128  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相互接続レベルでの時間依存絶縁破壊(TDDB)挙動のシミュレーションのために独自に開発した電荷輸送モデルを修正し,破壊後領域における電流-電圧(I-V)挙動にも適用した。モデルは,摩耗と破壊相,および破壊後領域を通して,その元の状態からの誘電材料の電流-電圧特性をシミュレートすることを可能にする。絶縁体領域から導体様領域への系統的転移を,本質的に生成したトラップ分布展開を通して可視化した。パーコレーションは,研究中の系に対して5×1026m-3の臨界トラップ濃度でアノード近傍で形成を開始し,カソードに向かって一方向に進行した。パーコレーション経路フロントが0.15のトラップ体積分率でカソードに達するとき,ソフト破壊が発生し,理論値は0.16であった。スイッチング点でのハード破壊は,空格子点型パーコレーション経路の完了とトラップ濃度の飽和と関連する。臨界点とスイッチング点の間のアノード近くのシステムのコンダクタンスとトラップ濃度の間に,2の電力とのべき乗則関係を見出した。弱い温度依存性と共に破壊事象に続く予測された線形後破壊領域は実験観察と良く一致した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *絶縁破壊 ,  電圧 ,  電流 ,  摩耗 ,  温度依存性 ,  可視化 ,  臨界 ,  誘電材料 ,  パーコレーション ,  導体 ,  コンダクタンス ,  アノード ,  カソード
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  べき乗則 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 固有破壊 ,  ポストブレイクダウン ,  パーコレーション理論 ,  トラップ支援伝導 ,  電荷輸送モデル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 欠陥 ,  蓄積 ,  固有 ,  絶縁破壊 ,  伝導 ,  輸送モデル