特許
J-GLOBAL ID：202203001325430383
Ge単結晶膜の製造方法及び光デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
鷲頭 光宏
, 緒方 和文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-070283
公開番号（公開出願番号）：特開2022-165087
出願日： 2021年04月19日
公開日（公表日）： 2022年10月31日
要約：
【課題】Ge単結晶の薄い連続膜を従来よりも短い時間で得ることが可能なGe単結晶膜の製造方法及びこれを用いた光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明によるGe単結晶膜の製造方法は、シリコンウェーハの表層部を加工してサブミクロン幅のSi細線アレイ14を形成し、Si細線アレイ14上にGe単結晶膜15を化学気相成長法によりエピタキシャル成長させる。シリコンウェーハとしては、例えば、Si支持基板11上に絶縁層12を介して上部Si層13が形成されたSOIウェーハ10を用いることができ、Si細線アレイ14は上部Si層13に形成される。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの表層部を加工してサブミクロン幅のSi細線アレイを形成し、
前記Si細線アレイ上にGe単結晶膜を化学気相成長法により形成することを特徴とするGe単結晶膜の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/08
, C30B 25/04
, H01L 21/20
C30B29/08
, C30B25/04
, H01L21/20
4G077AA03
, 4G077BA05
, 4G077DB04
, 4G077EA02
, 4G077EA05
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077GA02
, 4G077GA06
, 4G077HA01
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TB02
, 4G077TC06
, 4G077TC08
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4G077TK06
, 4G077TK08
, 5F152LL03
, 5F152LM04
, 5F152LM05
, 5F152NN03
, 5F152NQ04
