特許
J-GLOBAL ID：202203001325430383

Ge単結晶膜の製造方法及び光デバイス

発明者：
石川 靖彦

石川 靖彦 について

, 
中井 哲弥

中井 哲弥 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について

, 
国立大学法人豊橋技術科学大学

国立大学法人豊橋技術科学大学 について


代理人 (2件)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-070283
公開番号（公開出願番号）：特開2022-165087
出願日： 2021年04月19日
公開日（公表日）： 2022年10月31日
要約：
【課題】Ge単結晶の薄い連続膜を従来よりも短い時間で得ることが可能なGe単結晶膜の製造方法及びこれを用いた光デバイスを提供する。 【解決手段】本発明によるGe単結晶膜の製造方法は、シリコンウェーハの表層部を加工してサブミクロン幅のSi細線アレイ14を形成し、Si細線アレイ14上にGe単結晶膜15を化学気相成長法によりエピタキシャル成長させる。シリコンウェーハとしては、例えば、Si支持基板11上に絶縁層12を介して上部Si層13が形成されたSOIウェーハ10を用いることができ、Si細線アレイ14は上部Si層13に形成される。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの表層部を加工してサブミクロン幅のSi細線アレイを形成し、 前記Si細線アレイ上にGe単結晶膜を化学気相成長法により形成することを特徴とするGe単結晶膜の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/08 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
C30B29/08 ,  C30B25/04 ,  H01L21/20
Fターム (25件)：
4G077AA03 ,  4G077BA05 ,  4G077DB04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077GA02 ,  4G077GA06 ,  4G077HA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  5F152LL03 ,  5F152LM04 ,  5F152LM05 ,  5F152NN03 ,  5F152NQ04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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