特許

J-GLOBAL ID：202203007254298371

半導体装置及びその製造方法

発明者： ▲高▼橋 健一郎
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (2件)： 堀 城之 ,  前島 幸彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-048743
公開番号（公開出願番号）：特開2019-161132
特許番号：特許第7040162号
出願日： 2018年03月16日
公開日（公表日）： 2019年09月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 表面側において面内方向で電位差が発生し電流が前記面内方向を流れるように半導体素子が形成された半導体基板が用いられる半導体装置であって、 第1の導電型をもち内部において前記電流が前記面内方向を流れる第1の半導体層が前記半導体基板の表面側に設けられ、 前記第1の半導体層において、 前記第1の半導体層を貫通せずに表面側から前記第1の半導体層が掘下げられた溝が、前記電位差が発生する方向に沿って複数形成され、 前記電位差が発生する方向に沿って、前記溝の幅は3~10μmの範囲、前記溝の間隔は0.3~0.8μmの範囲とされ、 前記溝が絶縁層で埋め込まれ、 隣接する前記溝の間の前記表面において、前記第1の導電型と逆の第2の導電型をもつ表面導電層が形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-167933   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-171078   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-145601   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社