半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-145601
公開番号（公開出願番号）：特開2017-028116
出願日： 2015年07月23日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
要約：

【課題】横型MOSトランジスタを有する半導体装置のオン抵抗またはオン耐圧等の電気的特性のさらなる改善を図る。【解決手段】横型MOSトランジスタを有する半導体装置では、ドレイン領域DRとゲート電極GEとの間に位置する分離絶縁膜STIの部分に、埋め込み電極BEが形成されている。埋め込み電極BEは埋め込み部BEPを含む。埋め込み部BEPは、分離絶縁膜STIの表面から分離絶縁膜STIの厚さよりも薄い厚さに相当する深さにわたり形成されている。埋め込み電極BEはドレイン領域DRと電気的に接続されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記主表面上に形成された第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層に形成された第2導電型のドレイン領域と、前記第1半導体層に、前記ドレイン領域とは距離を隔てて形成された第2導電型のソース領域と、前記ドレイン領域と前記ソース領域との間に位置する前記第1半導体層の部分に形成され、第1厚さを有する分離絶縁膜と、前記分離絶縁膜および前記ドレイン領域を側方と下方とから取り囲む態様で、前記第1半導体層の表面から前記分離絶縁膜の底よりも深い位置にわたり形成された第2導電型のドリフト層と、前記分離絶縁膜と前記ソース領域との間に位置する、チャネルとなる部分を含む領域上に形成されたゲート電極と、前記ドレイン領域および前記ゲート電極とはそれぞれ距離を隔てられる態様で、前記ドレイン領域と前記ゲート電極との間に位置する前記分離絶縁膜の部分に形成された埋め込み電極とを有し、前記埋め込み電極は、前記分離絶縁膜の表面から前記第1厚さよりも薄い第2厚さに相当する深さにわたり形成された埋め込み部を備えた、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/41

FI (4件)：

H01L29/78 301S , H01L29/78 301D , H01L29/78 616T , H01L29/44 Y

Fターム (59件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104DD16 , 4M104FF06 , 4M104FF10 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F110AA07 , 5F110AA13 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE38 , 5F110FF02 , 5F110FF12 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG37 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN65 , 5F140AA25 , 5F140AA29 , 5F140AC21 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BC06 , 5F140BD18 , 5F140BD19 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF54 , 5F140BG46 , 5F140BH04 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH45 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ25 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CD09

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-286517 出願人：富士電機株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-250780 出願人：ローム株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-258570 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

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