特許
J-GLOBAL ID：202203010955303745

含窒素複素環アルケニル化合物、有機半導体材料及び有機半導体デバイス

発明者：
長浜 拓男

長浜 拓男 について

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川田 敦志

川田 敦志 について

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高嶋 授

高嶋 授 について

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岡内 辰夫

岡内 辰夫 について

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永松 秀一

永松 秀一 について


出願人/特許権者：
日鉄ケミカル&マテリアル株式会社

日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 について

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国立大学法人九州工業大学

国立大学法人九州工業大学 について


代理人 (3件)： 佐々木 一也 ,  佐野 英一 ,  原 克己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-073104
公開番号（公開出願番号）：特開2017-178911
特許番号：特許第6986692号
出願日： 2016年03月31日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記一般式(2)で示され、密度汎関数計算B3LYP/6-31G(d)による構造最適化計算で得られる最低空軌道(LUMO)のエネルギー準位が、-3.1eV以下である含窒素複素環アルケニル化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。 ここで、X11、X12、X13は、それぞれ独立に、C-R又はNを示し、X12及びX13は、それぞれ独立に、1〜3つがNであり、残りはC-Rであるが、C-RがC-H以外である数は多くとも1である。 Rは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、無置換の炭素数1〜12のアルキル基、又は無置換の炭素数1〜12のフッ素化アルキル基を示す。 なお、X11がNとなる数は多くとも2つであり、X11のいずれかがNの場合は、その他のX11はC-Hである。また、X11が全てC-Rの場合は、X11はC-H又はC-Fであり、少なくとも1つがC-Fである。
IPC (9件)：
H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/46 ( 200 6.01) ,  H01L 51/48 ( 200 6.01) ,  C07D 213/57 ( 200 6.01) ,  C07D 239/26 ( 200 6.01) ,  C07D 401/14 ( 200 6.01)
FI (10件)：
H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 310 J ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 31/04 154 C ,  H01L 31/04 182 A ,  C07D 213/57 ,  C07D 239/26 ,  C07D 401/14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (14件)
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