特許
J-GLOBAL ID：202203011126966474

磁性膜、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

発明者：
齋藤 好昭

齋藤 好昭 について

, 
池田 正二

池田 正二 について

, 
遠藤 哲郎

遠藤 哲郎 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人英知国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-131166
公開番号（公開出願番号）：特開2022-033026
出願日： 2021年08月11日
公開日（公表日）： 2022年02月25日
要約：
【課題】トップピン構造の利点とボトムピン構造の利点をそれぞれ生かしつつ、保護膜形成後のアニール処理によっても、固定層内の磁性層の垂直磁気異方性を維持し強いピン止めが可能な磁性膜、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリを提供する。 【解決手段】磁性膜の固定層は、第1の磁性層21、第1の非磁性層31、第1のPt層41、第2の磁性層22が順に隣接して配置された基本構成を有する。第1の磁性層21及び第2の磁性層22の磁化方向は、共に膜面垂直方向であり、第1の磁性層21と第2の磁性層22の間は、反強磁性結合している。 【選択図】図22
請求項（抜粋）：
第1の磁性層(21)と、 前記第1の磁性層(21)と隣接して設けられた第1の非磁性層(31)と、 前記第1の非磁性層(31)の前記第1の磁性層(21)とは反対側に隣接して設けられた第1のPt層(41)と、 前記第1のPt層(41)の前記第1の非磁性層(31)とは反対側に隣接して設けられた第2の磁性層(22)と、 を備え、 前記第1の磁性層(21)及び前記第2の磁性層(22)の磁化方向は、共に膜面垂直方向であり、 前記第1の磁性層(21)と前記第2の磁性層(22)の間は、反強磁性結合する、磁性膜。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/823 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30
FI (5件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/105 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30
Fターム (39件)：
4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD32 ,  4M119DD42 ,  4M119JJ09 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27 ,  5F092CA25
引用特許：
出願人引用 (1件)

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