特許

J-GLOBAL ID：202203011454009258

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 鎌田 泰幸
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-119592
公開番号（公開出願番号）：特開2020-004755
特許番号：特許第7040315号
出願日： 2018年06月25日
公開日（公表日）： 2020年01月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 縦型トランジスタとなる炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 表面が酸化されているゲートトレンチを有する炭化珪素エピタキシャル基板に、ポリシリコンを成膜し、表面が酸化されている前記ゲートトレンチを前記ポリシリコンにより埋め込む工程と、 前記ゲートトレンチを除く領域のポリシリコンを化学機械研磨により除去する工程と、 前記ゲートトレンチ内のポリシリコンを前記炭化珪素エピタキシャル基板の表面より深い位置まで酸化する工程と、 を有し、前記ゲートトレンチは、前記炭化珪素エピタキシャル基板の表面に酸化膜を形成し、前記酸化膜の上に窒化膜を形成する工程と、前記ゲートトレンチが形成される領域の酸化膜及び窒化膜を除去し、開口部を形成する工程と、前記酸化膜及び窒化膜の開口部における前記炭化珪素エピタキシャル基板を表面より除去し、ゲートトレンチを形成する工程と、により形成されるものであって、前記ポリシリコンは、前記ゲートトレンチ内及び窒化膜の上に成膜されるものであり、化学機械研磨によるポリシリコンの除去は、前記窒化膜の表面が露出するまで行われる炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/283 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/78 658 F ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/283 B ,  H01L 29/44 L ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-258400   出願人：日産自動車株式会社
• トレンチ拡散MOSトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-313496   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置において自己配列接点を供する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-330604   出願人：ヴィシェイ-シリコニックス