特許

J-GLOBAL ID：202203011921313403

電極-有機半導体構造体および有機半導体素子

発明者： 梅田 実 ,  松田 翔風 ,  大澤 雅俊
出願人/特許権者： 国立大学法人長岡技術科学大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-157848
公開番号（公開出願番号）：特開2022-051398
出願日： 2020年09月18日
公開日（公表日）： 2022年03月31日
要約：

【課題】電極から有機半導体層への電荷担体の注入を低い電圧で生ずる電極-有機半導体構造体の提供。および該電極上に有機半導体層を有してなる低電圧で作動する有機半導体素子の提供。 【解決手段】電極表面に微細凹凸構造を有してなる電極上に有機半導体層を有することを特徴とする電極-有機半導体構造体を形成すること、および該電極-有機半導体構造体に対して少なくとももう1つ別の電極を有してなる有機半導体素子を形成することで本発明の目的が達成される。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

原子間力顕微鏡による表面粗さRaが10nm以上の第一電極と、 前記第一電極に接して形成される有機半導体層を備えた電極-有機半導体構造体。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  B32B 7/025

FI (2件)：

H01L21/28 301B ,  B32B7/025

Fターム (37件)：

4F100AB11D ,  4F100AB25A ,  4F100AB25C ,  4F100AH03B ,  4F100AH07B ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10C ,  4F100BA10D ,  4F100DD07A ,  4F100EH46B ,  4F100EH66A ,  4F100EH66C ,  4F100EH71A ,  4F100EJ27D ,  4F100EJ34A ,  4F100GB41 ,  4F100JG01A ,  4F100JG01C ,  4F100JG10B ,  4F100YY00A ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF06 ,  4M104GG05 ,  4M104GG08

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 整流素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-212080   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 特許3227784号公報
  
• 特許4413843号公報
  
• 有機電界発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-103530   出願人：三星エスディアイ株式会社
• 特許3249297号公報