特許
J-GLOBAL ID：202203013807374195
CCDイメージセンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
村上 加奈子
, 松井 重明
, 倉谷 泰孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-143626
公開番号（公開出願番号）：特開2020-022041
特許番号：特許第6992700号
出願日： 2018年07月31日
公開日（公表日）： 2020年02月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の方向に延在し、光入射に応じて信号電荷を発生する転送チャネル領域と、前記転送チャネル領域の上に設けられ、前記第1の方向に直交する第2の方向に延在し、前記第1の方向に前記信号電荷を転送する転送電極とを備える画素領域と、 前記信号電荷が転送される方向の前記画素領域の一端に設けられ、前記画素領域から転送された前記信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、 前記電荷蓄積領域に蓄積された前記信号電荷のうち、前記電荷蓄積領域に蓄積された過剰な信号電荷を排出する第1のオーバーフロードレイン領域と、 前記電荷蓄積領域と前記第1のオーバーフロードレイン領域との間に設けられ、前記過剰な信号電荷の排出量を制御する制御電圧が印加されるオーバーフローゲート電極と、 前記第1の方向に延在し、前記第2の方向で前記転送チャネル領域と隣接する第1のオーバーフローゲート領域と、 前記第1の方向に延在し、前記第2の方向で前記第1のオーバーフローゲート領域と隣接し、前記第1のオーバーフローゲート領域を介して、前記転送チャネル領域の過剰な信号電荷を排出する第2のオーバーフロードレイン領域とを備え、 前記オーバーフローゲート電極により制御される前記電荷蓄積領域の電荷容量の飽和レベルは、前記第1のオーバーフローゲート領域により制御される前記転送チャネル領域の電荷容量の飽和レベルより小さいことを特徴とするCCDイメージセンサ。
IPC (3件)：
H04N 5/372 ( 201 1.01)
, H04N 5/359 ( 201 1.01)
, H01L 27/148 ( 200 6.01)
H04N 5/372
, H04N 5/359 200
, H01L 27/148 B
