特許

J-GLOBAL ID：202203014466627045

半導体装置、及び、半導体装置の製造方法

発明者： 清水 康貴 ,  宮崎 裕二 ,  岡田 一也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-170202
公開番号（公開出願番号）：特開2020-043245
特許番号：特許第7038632号
出願日： 2018年09月12日
公開日（公表日）： 2020年03月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 下地と、 前記下地上に配設された、互いに離間する正極導体パターンであるP電極及び負極導体パターンであるN電極と、 前記P電極及び前記N電極と離間された状態で前記下地上に固定されたスナバ用基板と、 前記スナバ用基板上に配設され、前記P電極及び前記N電極と電気的に接続されたスナバ回路と、 前記スナバ回路と電気的に接続された半導体素子とを備え、 前記下地は、前記P電極、前記N電極、及び、前記スナバ用基板を互いに絶縁する絶縁部材を含み、前記絶縁部材は、絶縁性のセラミック基板を含み、前記P電極、前記N電極、及び、前記スナバ用基板は、前記セラミック基板上に固定されている、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 25/00 ( 200 6.01) ,  H01L 23/13 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H02M 7/48 ( 200 7.01) ,  H03K 17/16 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 25/00 B ,  H01L 23/12 C ,  H01L 25/04 C ,  H02M 7/48 Z ,  H03K 17/16 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びそれを用いた電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-021738   出願人：関西電力株式会社
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-067118   出願人：株式会社東芝
• バスバー、およびそれを用いた電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-234261   出願人：株式会社デンソー