特許

J-GLOBAL ID：202203014538689814

酸化ガリウム系半導体の製造方法

発明者： 加渡 幹尚 ,  大友 明 ,  相馬 拓人
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (7件)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  鶴田 準一 ,  伊藤 公一 ,  関根 宣夫 ,  河野 努 ,  青木 修二郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-156405
公開番号（公開出願番号）：特開2022-050042
出願日： 2020年09月17日
公開日（公表日）： 2022年03月30日
要約：

【課題】本開示は、高い耐リーク電流及び耐圧性を有する酸化ガリウム系半導体の製造方法を提供する。 【解決手段】本開示の製造方法は、酸化ガリウム系半導体の製造方法であって、400°C以下で、物理蒸着法によって、基材上にGa、O、及びSを含有する薄膜を形成すること、及び前記基材上に形成された前記薄膜を700°C以上に加熱すること、を含む、酸化ガリウム系半導体の製造方法である。本開示の製造方法は、前記物理蒸着法による前記薄膜の形成と前記薄膜の加熱とを行うサイクルを、複数回行うこと、を含んでいるのが好ましい。 【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化ガリウム系半導体の製造方法であって、 400°C以下で、物理蒸着法によって、基材上にGa、O、及びSを含有する薄膜を形成すること、及び 前記基材上に形成された前記薄膜を700°C以上に加熱すること、 を含む、酸化ガリウム系半導体の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/16 ,  C30B 33/02 ,  C30B 23/06 ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/363

FI (7件)：

C30B29/16 ,  C30B33/02 ,  C30B23/06 ,  C23C14/58 A ,  C23C14/08 J ,  H01L21/26 F ,  H01L21/363

Fターム (30件)：

4G077BB10 ,  4G077DA03 ,  4G077EA02 ,  4G077EB01 ,  4G077FE11 ,  4G077FE19 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB03 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BB09 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA02 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029DC39 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103JJ01 ,  5F103PP03