特許

J-GLOBAL ID：202203014674293630

半導体装置

発明者： 上妻 宗広 ,  池田 隆之 ,  黒川 義元 ,  青木 健 ,  岡本 佑樹
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-014987
公開番号（公開出願番号）：特開2020-167743
特許番号：特許第7044833号
出願日： 2016年01月29日
公開日（公表日）： 2020年10月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1入力ノードと、 第1出力ノードと、 第1トランジスタと、 n個(nは1よりも大きい整数)の第1回路と、 ダイナミックロジック回路と、 第1信号が供給されるn本の第1配線と、 第1データ信号が供給される第2配線と、 第2信号が供給される第3配線と、 第2データ信号が供給されるn本の第4配線と、を有する半導体装置であって、 前記n個の第1回路は、それぞれ、第2入力ノード、第2出力ノード、第1保持ノード、第2保持ノード、並びに第2乃至第5トランジスタを有し、 前記ダイナミックロジック回路は第3入力ノードおよび第3出力ノードを有し、 前記第1トランジスタの第1端子は前記第3出力ノードと電気的に接続され、 前記第1トランジスタの第2端子は前記第1出力ノードと電気的に接続され、 前記n個の第1回路において、それぞれ、前記第2入力ノードと前記第2出力ノード間に前記第2トランジスタと前記第3トランジスタとが電気的に直列に接続され、かつ前記第2トランジスタのゲートは前記第1保持ノードと電気的に接続され、かつ前記第3トランジスタのゲートは前記第2保持ノードと電気的に接続され、かつ前記第4トランジスタの第1端子は前記第1保持ノードと電気的に接続され、かつ前記第5トランジスタの第1端子は前記第2保持ノードと電気的に接続されており、 前記第1入力ノードは前記n個の第1回路の前記第2入力ノードと電気的に接続され、 前記第3入力ノードは前記n個の第1回路の前記第2出力ノードと電気的に接続され、 前記n本の第1配線は、それぞれ、異なる前記n個の第1回路の前記第4トランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記第2配線は前記n個の第1回路の前記第4トランジスタの第2端子と電気的に接続され、 前記第3配線は前記n個の第1回路の前記第5トランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記n本の第4配線は、それぞれ、異なる前記n個の第1回路の前記第5トランジスタの第2端子と電気的に接続され、前記n個の第1回路のそれぞれに、順次、前記第1信号が入力され、前記第1信号がHレベルになるタイミングで前記第1データ信号が前記第1保持ノードに保持され、前記n個の第1回路の何れか一つにおいて、前記第2信号がHレベルであり、前記第2データ信号がHレベルになるタイミングで前記第2データ信号が前記第2保持ノードに保持され、 前記第1、前記第4および前記第5トランジスタはチャネルが形成される酸化物半導体層を有する半導体装置。

IPC (1件)：

H03K 19/00 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H03K 19/00 210

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-094862   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-225043   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-088946   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所