特許

J-GLOBAL ID：202203014737807630

半導体装置およびその製造方法

発明者： 三塚 要 ,  高橋 美咲 ,  白川 徹
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-558953
公開番号（公開出願番号）：特開2021-073714
特許番号：特許第7020570号
出願日： 2018年10月25日
公開日（公表日）： 2021年05月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 トランジスタ部とダイオード部とを有する半導体装置であって、 半導体基板に設けられた第1導電型のドリフト領域と、 前記半導体基板の上面側に設けられた第2導電型の第1ウェル領域と、 前記ダイオード部において、前記半導体基板の上面側に設けられた第2導電型のアノード領域と、 前記アノード領域と前記第1ウェル領域との間において、前記第1ウェル領域と接して設けられ、前記アノード領域より高ドーピング濃度である第2導電型の第1高濃度領域と を備え、 前記第1高濃度領域は、トレンチ部で挟まれた前記半導体基板のメサ部に設けられ、 前記トランジスタ部は、前記半導体基板の上面側に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、前記エミッタ領域の下方に設けられた第2導電型のベース領域とを有し、 前記アノード領域のドーピング濃度は、前記ベース領域のドーピング濃度よりも低く、 前記ダイオード部は、前記半導体基板の下面側に設けられたカソード領域を備え、 前記アノード領域と前記第1高濃度領域との間が、複数のトレンチ部の平面視における延伸方向において、前記カソード領域の外側に位置している 半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01)

FI (13件)：

H01L 29/78 655 E ,  H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/91 C ,  H01L 29/78 655 G ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/088 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2017-032728   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-182760   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-249484   出願人：株式会社東芝