半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-182760
公開番号（公開出願番号）：特開2017-059662
出願日： 2015年09月16日
公開日（公表日）： 2017年03月23日
要約：

【課題】半導体装置における逆回復時の耐量を向上させる。【解決手段】n型の半導体基板10と、半導体基板の表面に形成された、p-型の第1領域22と、半導体基板の表面において第1領域と隣接して形成され、第1領域よりも高濃度のp型の第2領域24と、半導体基板の表面において第2領域と隣接して形成され、第2領域よりも高濃度のp+型の第3領域26と、第2領域の一部および第3領域を覆う絶縁膜28と、絶縁膜により覆われていない第1領域および第2領域と接続された電極30とを備える半導体装置100を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1伝導型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された、第2伝導型の第1領域と、前記半導体基板の表面において前記第1領域と隣接して形成され、前記第1領域よりも高濃度の第2伝導型の第2領域と、前記半導体基板の表面において前記第2領域と隣接して形成され、前記第2領域よりも高濃度の第2伝導型の第3領域と、前記第2領域の一部および前記第3領域を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜により覆われていない前記第1領域および前記第2領域と接続された電極とを備える半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 29/06 , H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088

FI (11件)：

H01L29/91 D , H01L29/06 301D , H01L29/78 655F , H01L29/06 301V , H01L29/06 301G , H01L29/06 301F , H01L29/78 657D , H01L29/78 655D , H01L29/78 653A , H01L27/06 102A , H01L27/08 102E

Fターム (10件)：

5F048AC01 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BB02 , 5F048BB19 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD06 , 5F048CB06

引用特許：

審査官引用 (3件)

ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-284375 出願人：トヨタ自動車株式会社
ダイオード及び電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-040918 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-201116 出願人：トヨタ自動車株式会社

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