特許
J-GLOBAL ID：202203017128734463

半導体装置の製造方法

発明者：
武政 憲吾

武政 憲吾 について

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吉田 裕一

吉田 裕一 について

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曽根 紀久

曽根 紀久 について

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山田 和也

山田 和也 について

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竹井 彰啓

竹井 彰啓 について


出願人/特許権者：
ラピスセミコンダクタ株式会社

ラピスセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-034606
公開番号（公開出願番号）：特開2021-015981
特許番号：特許第7028938号
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2021年02月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ダイパッドの第1搭載面に発振子を設ける工程と、 前記ダイパッドの前記第1搭載面と段差部を介して連続して設けられ、前記第1搭載面とは異なる高さ位置の第2搭載面に前記発振子の一部が重なるように集積回路を設ける工程と、 前記ダイパッドの前記第1搭載面よりも前記第2搭載面に近い位置に設けられた開口を有する金型の内部おいて、前記第2搭載面がキャビティの高さ方向中心付近に位置し、前記第1搭載面が前記第2搭載面よりも上方に位置し、且つ前記第1搭載面及び前記第2搭載面が下方を向くように前記ダイパッド、前記発振子及び前記集積回路を前記金型の内部に配置する工程と、 前記開口から前記金型の内部に樹脂を注入する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/56 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H03B 5/32 ( 200 6.01) ,  H01L 23/50 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 301 B ,  H03B 5/32 H ,  H01L 23/50 G ,  H01L 23/50 U
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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