特許
J-GLOBAL ID:202203020037031401
シリコン単結晶の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
鷲頭 光宏
, 緒方 和文
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-516369
公開番号(公開出願番号):特開2021-050139
特許番号:特許第7070719号
出願日: 2018年04月02日
公開日(公表日): 2021年04月01日
請求項(抜粋):
【請求項1】 石英ガラスルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、 前記石英ガラスルツボは、 石英ガラスからなる有底円筒状のルツボ本体と、 前記シリコン単結晶の引き上げ工程中の加熱によって前記ルツボ本体の表面近傍に結晶化促進剤濃縮層が形成されるように前記ルツボ本体の表面に形成された結晶化促進剤含有塗布膜とを備え、 前記結晶化促進剤含有塗布膜は増粘剤として作用する高分子を含み、前記結晶化促進剤含有塗布膜に含まれる結晶化促進剤は水に不溶なバリウム化合物であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (3件):
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/10 ( 200 6.01)
, C03B 20/00 ( 200 6.01)
FI (3件):
C30B 29/06 502 B
, C30B 15/10
, C03B 20/00 H
引用特許: