特許

J-GLOBAL ID：200903051354749598

部分的に失透化させたルツボ

発明者： ジョン・デイビス・ホールダー ,  リチャード・ジェイ・フィリップス
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-522572
公開番号（公開出願番号）：特表2008-507467
出願日： 2005年07月14日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

単結晶シリコン成長プロセスの間に半導体材料を保持するための石英ガラスのルツボは、以下の側壁部を有する。側壁部の一部は失透化促進剤によって被覆されており、側壁部の一部は失透化促進剤コーティングを実質的に有していない。インゴット成長プロセスの場合と同様にルツボを加熱すると、失透化促進剤は側壁部の部分の結晶化を導き、それによって剛性向上側壁部分が形成される。失透化プロモータを実質的に有さない領域は石英ガラス状態で残され、熱によって軟化する。この領域は応力調節側壁部分になる。応力調節側壁部分の中で石英ガラス材料がフローすることによって、そうでない場合に側壁部に蓄積される応力が緩和される。

請求項（抜粋）：

溶融させた半導体材料を保持するためのルツボであって、 底部壁部、該底部壁部から上方に延びる側壁部および開いた頂部を有する石英ガラスの本体部であって、底部壁部および側壁部は半導体材料を保持するためのキャビティを規定し、側壁部は内側表面および外側表面を有している本体部;ならびに 前記側壁部の内側表面および外側表面の少なくとも1つの第1の領域に施されている失透化促進剤コーティングを有してなり、 前記側壁部の内側表面および外側表面の少なくとも1つの第2の領域は失透化促進剤コーティングを実質的に有しておらず、前記側壁部の内側表面および外側表面の少なくとも1つは前記第1の領域および第2の領域の少なくとも一部を有しているルツボ。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/10 ,  C03B 20/00

FI (3件)：

C30B29/06 502B ,  C30B15/10 ,  C03B20/00 H

Fターム (10件)：

4G014AH00 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG01 ,  4G077EG02 ,  4G077HA12 ,  4G077PD01 ,  4G077PD05 ,  4G077PD12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 石英ガラス部材の強化方法と強化処理した石英ガラスルツボ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-295832   出願人：ジャパンスーパークォーツ株式会社
• シリコン単結晶製造用ドープ石英ガラスルツボ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-205637   出願人：ヘリーアスシンエツアメリカ
• 単結晶の無転位収量の改善方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-154337   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド, ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 石英ガラスルツボの表面改質方法と表面改質ルツボ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-157232   出願人：ジャパンスーパークォーツ株式会社