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J-GLOBAL ID：202302215712866217   整理番号：23A3034007

CMOSイメージセンサを用いたELENA反陽子ビーム強度の間接測定

Indirect measurement of ELENA antiproton beam intensity by a CMOS image sensor

著者 (6件)： 田中碧海 (東大) ,  浅利真奈美 (東大) ,  田中香津生 (早稲田大) ,  樋口嵩 (大阪大 核物理研究セ) ,  REGENFUS Christian (ETH Zuerich) ,  黒田直史 (東大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 78  号： 2  ページ： ROMBUNNO.16pC205-2  発行年： 2023年09月25日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： GBAR(Gravitational Behaviour of Antihydrogen at Rest)実験において、反陽子とポジトロニウムの荷電交換反応による反水素原子の生成実験が進行している。また2S状態の反水素原子を用いた2S-2P...【本文一部表示】

シソーラス用語： イメージセンサ ,  *反陽子ビーム ,  *反陽子 ,  ポジトロニウム ,  反物質 ,  シミュレーション ,  CMOSイメージセンサ ,  反水素 ,  モンテカルロシミュレーション ,  *核子ビーム
準シソーラス用語： 反陽子消滅

分類 (1件)： 電子ビーム,イオンビーム  (BD02030F)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOSイメージセンサ ,  反陽子 ,  ビーム強度 ,  間接測定