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J-GLOBAL ID：202302245176633863   整理番号：23A1623763

OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

Surface Structures of GaN under OVPE Growth Conditions and Influence of Point Defects on Optical Properties of GaN

著者 (10件)： 河村貴宏 (三重大学大学院 工学研究科) ,  河村貴宏 (大阪大学大学院 工学研究科) ,  秋山亨 (三重大学大学院 工学研究科) ,  宇佐美茂佳 (大阪大学大学院 工学研究科) ,  今西正幸 (大阪大学大学院 工学研究科) ,  吉村政志 (大阪大学大学院 工学研究科) ,  吉村政志 (大阪大学 レーザー科学研究所) ,  森勇介 (大阪大学大学院 工学研究科) ,  森川良忠 (大阪大学大学院 工学研究科) ,  寒川義裕 (九州大学 応用力学研究所)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 50  号： 1  ページ： ROMBUNNO.50-1-02(J-STAGE)  発行年： 2023年 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化物気相成長(OVPE)法は,連続的な結晶成長を妨げる固体の副生成物が形成されないため,魅力的なGaNのバルク成長法である。しかし,OVPE法ではGa源としてGa₂Oを用いるため,高いO不純物濃度が大きな問題となる。O不純物の取り込み方とGaNの光学特性への影響を理解するために,OVPE成長条件下でのGaNの表面構造と,Oに関連する点欠陥や複合欠陥を含むGaNの電子構造を第一原理計算を用いて調べた。表面方位によるO吸着の違いや,O関連欠陥がGaNの電子構造に与える影響について議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 気相成長 ,  *窒化ガリウム ,  *表面構造 ,  *点欠陥 ,  *光学的性質 ,  酸化ガリウム ,  不純物 ,  複合欠陥 ,  電子構造 ,  第一原理 ,  第一原理計算 ,  *構造
準シソーラス用語： 酸化物気相成長 ,  光学特性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (34件)：

• 1) M. Imade, H. Kishimoto, F. Kawamura, M. Yoshimura, Y. Kitaoka, T. Sasaki, and Y. Mori: J. Cryst. Growth, 312 (2010) 676.
• 2) M. Imade, Y. Bu, T. Sumi, A. Kitamoto, M. Yoshimura, T. Sasaki, M. Isemura, and Y. Mori: J. Cryst. Growth, 350 (2012) 56.
• 3) A. Kitamoto, Y. Yamaguchi, S. Tsuno, K. Ishibashi, Y. Gunji, M. Imanishi, M. Imade, M. Yoshimura, M. Hata, M. Isemura, and Y. Mori: J. Cryst. Growth, 535 (2020) 125524.
• 4) 滝野淳一,隅智亮,宇佐美茂佳,今西正幸,岡山芳央,森勇介:日本結晶成長学会誌, 48 (2021) 48-3-02.
• 5) J. Takino, T. Sumi, Y. Okayama, M. Nobuoka, A. Kitamoto, M. Imanishi, M. Yoshimura, and Y. Mori: Jpn. J. Appl. Phys., 58 (2019) SC1043.

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  表面構造 ,  点欠陥 ,  光学特性