特許
J-GLOBAL ID：202303005462010475

熱電変換材料の製造方法

発明者：
岸 直希

岸 直希 について

, 
日比 聡

日比 聡 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 名古屋工業大学

国立大学法人 名古屋工業大学 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-205368
公開番号（公開出願番号）：特開2023-052032
出願日： 2022年12月22日
公開日（公表日）： 2023年04月11日
要約：
【課題】基材20上に形成可能で高熱電特性を有する高分子膜の熱電変換材料1の製造方法を提供する。 【解決手段】PEDOT:PSS、SSD、水とEGを有する分散液を、PET又はホウケイ酸ガラス基板(両基板)上に塗布し、水の沸点以上、EGの沸点プラス50°C以下で水とEGを揮発させ、それらを含有しない熱電変換材料の、スピンコートによる製造方法であって、PEDOT:PSSを基準1として分散液の水が95、EGが0.91~4.53、熱電変換材料のSSDが0.023、室温のパワーファクター(μW/mK 2 )が21.5~25.0であり、PEDOT:PSS水分散液と、PEDOT:PSS水分散液にEGを3%で混合した別の分散液の、両基板に対する濡れ性につき前者の濡れ性が後者より高く、分散液と、分散液でSSDが0.907でEG不含の、さらに別の分散液の、両基板に対する濡れ性につき分散液がさらに別の分散液より高い。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)と、界面活性剤と、第1溶媒と、前記第1溶媒の沸点より高い沸点の第2溶媒と、を有する分散液を、基材上に塗布し、前記第1溶媒の沸点以上、前記第2溶媒の沸点プラス50°C以下の温度で、前記第1溶媒および前記第2溶媒を揮発させ、前記第1溶媒および前記第2溶媒を含有しない熱電変換材料の、スピンコートによる製造方法であって、 前記第1溶媒の沸点および前記第2溶媒の沸点が、60°C以上250°C以下、前記界面活性剤が陰イオン界面活性剤であり、前記基材の材質はポリエチレンテレフタレートまたはホウケイ酸ガラスであり、前記陰イオン界面活性剤としてはドデシル硫酸ナトリウムであり、前記第1溶媒としては、水、前記第2溶媒としては、エチレングリコールであり、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)を基準1としたとき、前記分散液における前記水の構成比は95で前記エチレングリコールの構成比は0.91~4.53であり、前記水および前記エチレングリコールを含有しない熱電変換材料における前記ドデシル硫酸ナトリウムの構成比が0.023であり、室温におけるパワーファクター(μW/mK 2 )が21.5以上25.0以下であり、 前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)は、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)水分散液に含まれ、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)水分散液と、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)水分散液に前記エチレングリコールを3%の割合で混合した別の分散液の、それぞれ前記ポリエチレンテレフタレート基板および前記ホウケイ酸ガラス基板に対する濡れ性を比較したとき、前記ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)水分散液の濡れ性が、前記別の分散液の濡れ性よりそれぞれ高く、 前記分散液と、前記分散液において前記ドデシル硫酸ナトリウムの構成比が0.907であって前記エチレングリコールを含まないさらに別の分散液の、それぞれ前記ポリエチレンテレフタレート基板および前記ホウケイ酸ガラス基板に対する濡れ性を比較したとき、前記分散液の濡れ性が、前記さらに別の分散液よりそれぞれ高いことを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
IPC (3件)：
H10N 10/01 ,  H10N 10/856 ,  C08G 61/12
FI (3件)：
H10N10/01 ,  H10N10/856 ,  C08G61/12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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