特許
J-GLOBAL ID：202303010771171738
解析方法、解析装置、及び解析プログラム
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (4件)：
弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 井上 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-126756
公開番号（公開出願番号）：特開2023-021712
出願日： 2021年08月02日
公開日（公表日）： 2023年02月14日
要約：
【課題】FDTD法における電磁界の計算時間を短縮し且つメモリの使用量を抑制する
【解決手段】実施形態の解析方法は、FDTD法(Finite-Difference Time-Domain method)を用いて電磁界解析を行う解析方法である。実施形態の解析方法は、解析領域に複数のボクセルを設定することと、解析領域のモデルに基づいて複数のボクセルのうち少なくとも一つを解放ボクセルに設定することと、時間ステップの更新と複数のボクセルのそれぞれを対象とした電磁界成分の計算処理とを繰り返し実行することと、を含む。計算処理は、複数のボクセルを対象とした電界成分の計算と電界成分に対する吸収境界条件の適用とを含む。計算処理では、少なくとも一つの解放ボクセルを対象とした電界成分の計算が省略される。
【選択図】図7
請求項（抜粋）：
FDTD法(Finite-Difference Time-Domain method)を用いて電磁界解析を行う解析方法であって、
解析領域に複数のボクセルを設定することと、
前記解析領域のモデルに基づいて前記複数のボクセルのうち少なくとも一つを解放ボクセルに設定することと、
時間ステップの更新と、前記複数のボクセルのそれぞれを対象とした電磁界成分の計算処理とを繰り返し実行することと、を備え、
前記計算処理は、前記複数のボクセルを対象とした電界成分の計算と前記電界成分に対する吸収境界条件の適用とを含み、前記計算処理では、前記少なくとも一つの解放ボクセルを対象とした電界成分の計算が省略される、
を備える、解析方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
